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文檔簡介
1、本文應用密度泛函理論中的廣義梯度近似分別對PbnS和SimSb團簇進行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化,通過分析PbnS和SimSb團簇的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),得到了PbnS的幻數(shù)結(jié)構(gòu)和鍵合性質(zhì)以及SimSb團簇的幻數(shù)結(jié)構(gòu)。本文具體內(nèi)容如下: 第一章主要介紹了密度泛函的有關理論,如密度泛函理論的特點、密度泛函理論的概念等。在介紹密度泛函理論的概念時,主要介紹Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程以及他們的證明過程。另外還對交換關聯(lián)能和密度
2、泛函理論的計算方法及馬利肯布局數(shù)分析進行了介紹。 第二章首先對Materials Studio軟件包進行了介紹,然后再進一步介紹Dmol3軟件包,最后再分析了用密度泛函理論研究PbnS團簇和SimSb團簇的理論意義。 第三章我們對PbnS和SimSb團簇結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進行研究。首先,應用密度泛函理論中的廣義梯度近似對PbnS團簇的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進行了系統(tǒng)地研究,并對頻率和能量進行計算,得到了PbnS團簇的最低能量結(jié)構(gòu),通
3、過分析PbnS團簇的平均結(jié)合能、二階能量差分、最高分子占據(jù)軌道和最低分子空軌道間的能隙及垂直電離勢,發(fā)現(xiàn)4和10是PbnS團簇的幻數(shù)。最后對PbnS團簇的布局數(shù)進行分析,得到PbnS團簇中鍵的結(jié)合是以共價鍵和離子鍵的方式共存。其次,仍應用密度泛函理論中的廣義梯度近似對SimSb團簇結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)進行了研究,通過分析SimSb團簇的平均結(jié)合能、二階能量差分、最高分子占據(jù)軌道和最低分子空軌道間的能隙以及分裂能等電子性質(zhì),得到了4、10和12
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