江蘇聚能硅業(yè)有限公司江蘇聚能硅業(yè)有限公司W(wǎng)INSUNCOLTD125125單晶硅片產(chǎn)品規(guī)格單晶硅片產(chǎn)品規(guī)格規(guī)格尺寸MM125125導(dǎo)電類型CONDUCTIVITYTYPEP型摻雜晶向IENTATION3電阻率范圍歐母厘米R(shí)ESISTIVITY053少子壽命USLIFETIME≥10氧含量ATOMSCM2OXYGEN≤101018碳含量ATOMSCM2C...
下載價(jià)格：3 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-07 / 2人氣
硅片車間污染源控制介紹硅片車間污染源控制介紹水污染水污染水污染主要是由于人類排放的各種外源性物質(zhì)（包括自然界中原先沒有的），進(jìn)入水體后，超出了水體本身自凈作用所能承受的范圍，導(dǎo)致其化學(xué)、物理、生物或者放射性等方面特性的改變，從而影響水的有效利用，...
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硅片線痕分析硅片線痕分析分類線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯(cuò)位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下1、雜質(zhì)線痕由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。表現(xiàn)形式（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。（2...
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硅片生產(chǎn)過程簡(jiǎn)介硅片的準(zhǔn)備過程從硅單晶棒開始，到清潔的拋光片結(jié)束，以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間，從一單晶硅棒到加工成數(shù)片能滿足特殊要求的硅片要經(jīng)過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外，整個(gè)過程幾乎都要在無塵的環(huán)境中進(jìn)行。硅片的加工從一相對(duì)...
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硅片專業(yè)術(shù)語ACCEPTANELEMENTSUCHASBONINDIUMGALLIUMUSEDTOCREATEAFREEHOLEINASEMICONDUCTTHEACCEPTATOMSAREREQUIREDTOHAVEONELESSVALENCEELECTRONTHANTHESEMICONDUCT受主一種用來在半導(dǎo)體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導(dǎo)體元素少一價(jià)電子ALIG...
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硅片生產(chǎn)過程硅片生產(chǎn)過程半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí)20090217171210閱讀1013評(píng)論2字號(hào)大中小訂閱簡(jiǎn)介硅片的準(zhǔn)備過程從硅單晶棒開始，到清潔的拋光片結(jié)束，以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間，從一單晶硅棒到加工成數(shù)片能滿足特殊要求的硅片要經(jīng)過很多流程和清洗步驟。除了有許多工...
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硅片制絨和清洗,概述,硅片表面的處理目的去除硅片表面的機(jī)械損傷清除表面油污和金屬雜質(zhì)形成起伏不平的絨面，增加硅片對(duì)太陽光的吸收,硅片表面的機(jī)械損傷層（一）硅錠的鑄造過程,多晶硅,單晶硅,硅片表面的機(jī)械損傷層（二）多線切割,硅片表面的機(jī)械損傷層（三）機(jī)械損...
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提高硅片切割質(zhì)量的研究提高硅片切割質(zhì)量的研究【摘要】硅片切片的質(zhì)量和效率直接影響到整個(gè)硅片生產(chǎn)的全局，關(guān)系到成本的高低。本文分析了太陽能硅片的切割影響因素，并針對(duì)不同問題，對(duì)其進(jìn)行了各個(gè)工藝改進(jìn)的研究探討?！娟P(guān)鍵詞】硅片；切割；質(zhì)量；研究引言太陽...
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硅片表面檢驗(yàn)分析硅片表面檢驗(yàn)分析硅片在聚光燈下目檢，要求圓片表面無明顯色差、花紋、霧狀斑塊或色斑；圓片無裂紋，邊緣缺損、無沾污；圓片表面無劃痕。1無明顯色差氧化層變化容易產(chǎn)生色差，如圖示。氧化層100A的厚度變化就會(huì)在目檢時(shí)看到顏色的變化，大約厚度變化...
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1（6）設(shè)備部設(shè)備部（1）公用工程分部）公用工程分部（A難、難、B易）易）一、填空題一、填空題共20題B1大量懸浮物固體及漂浮物排入水體，形成水體外觀惡化，污染物在水體表面聚積影響水體復(fù)氧。A2廢水處理方法從作用原理上分，可分為物理法、化學(xué)法、物理化學(xué)法、生...
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斷線善后處理斷線善后處理首先做好斷線記錄（斷線時(shí)間、機(jī)臺(tái)號(hào)、部位、切深）留好線頭一查明斷線原因及斷線情況二急時(shí)上報(bào)，未經(jīng)同意，不得私自處理。三處理流程1在出線端斷線,寬度不超過10毫米的直接拉線切割2切深≦60MM中部或進(jìn)線端斷線，以30MM/MIN直接升起，迅速...
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單晶硅片是制造集成電路時(shí)必須采用的襯底材料，在硅片上經(jīng)過氧化、擴(kuò)散、沉積、光刻、蝕刻、CMP、多層布線等一系列制程生長出數(shù)以億計(jì)的電路器件，然后經(jīng)過測(cè)試、晶片切割貼片、打線、包裝，才能得到一般常見的芯片組件，進(jìn)而裝配到微電子產(chǎn)品上。隨著IC制造技術(shù)的飛...
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PV800硅片線痕分析分類線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯(cuò)位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下1、雜質(zhì)線痕由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。表現(xiàn)形式（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。（2）無可...
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硅片直接鍵合技術(shù)在微機(jī)電系統(tǒng)，絕緣體上硅材料的制造和三維集成領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。跟中介層鍵合技術(shù)和陽極鍵合技術(shù)相比，直接鍵合技術(shù)避免了中介層引起的污染也無需外部電場(chǎng)的作用。傳統(tǒng)的直接鍵合方法需要在800℃1000℃的高溫下進(jìn)行，而高溫會(huì)引起諸多問題，如熱...
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SOISILICONONINSULAT絕緣層上硅硅片用于制造集成電路具有高速、低功耗、集成度高等優(yōu)勢(shì)SIMOXSEPARATEBYIMPLANTOXYGEN注氧隔離技術(shù)可以制備高質(zhì)量的SOI硅片但是利用這種技術(shù)制備的SOI硅片頂層硅厚度較薄一般在50～300NM一定程度上限制了SOI硅片的應(yīng)用將外延工藝與SIMO...
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單晶硅片是集成電路產(chǎn)業(yè)最重要的襯底材料，為了滿足硅片大直徑化和芯片超薄化的要求，硅片加工中需要快速去除加工余量。隨著集成電路特征線寬的減小，對(duì)硅片的表面亞表面質(zhì)量也提出了更高的要求。但是傳統(tǒng)的硅片加工工藝存在加工效率低、加工成本高、加工精度差、自...
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太陽能硅片的化學(xué)清洗工藝太陽能硅片的化學(xué)清洗工藝標(biāo)簽硅片化學(xué)清洗污染太陽能離子分類太陽能硅片切割技術(shù)交流200901102329太陽能硅片經(jīng)過線切割機(jī)的切割加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，要達(dá)到太陽能發(fā)電的工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，就必須經(jīng)過嚴(yán)格的清洗工序。由于切割帶來的...
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硅片傳輸機(jī)器人是半導(dǎo)體制造業(yè)中重要的傳輸、定位設(shè)備其工作的速度、定位精度和可靠性等直接影響硅片的生產(chǎn)效率和制造質(zhì)量國外非常重視硅片傳輸機(jī)器人技術(shù)的研究已形成了較完善的技術(shù)體系與此相比目前國內(nèi)尚無產(chǎn)品化的硅片傳輸機(jī)器人因此研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅片...
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硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)是一類面向集成電路制造業(yè)，在硅片傳輸過程中，補(bǔ)償硅片機(jī)器人對(duì)硅片的定位誤差，集機(jī)械、電子、光學(xué)、計(jì)算機(jī)等多學(xué)科于一體的，能夠自動(dòng)檢測(cè)并精確定位硅片幾何中心以及切邊或缺口位置的高精度對(duì)準(zhǔn)裝置。本文在充分研究國內(nèi)外各種硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的基...
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