Yb-YxLu1-xVO4晶體的提拉法生長(zhǎng)及熱學(xué)性能研究.pdf

1、本文采用提拉法生長(zhǎng)出了低Yb3+濃度摻雜的Yb∶YVO4激光晶體和Yb∶YxLu1-xVO4激光晶體，研究了晶體生長(zhǎng)工藝。對(duì)晶體進(jìn)行了表征，研究了Yb∶YxLu1-xVO4晶體的結(jié)構(gòu)、缺陷和熱學(xué)性能。
　　 詳細(xì)的介紹了晶體的提拉法生長(zhǎng)包括生長(zhǎng)裝置、生長(zhǎng)流程和主要生長(zhǎng)工藝參數(shù)。商業(yè)購(gòu)買純度為99.99％的YVO4、 LuVO4和YbVO4多晶粉料，按一定比例進(jìn)行配比用作晶體的提拉法生長(zhǎng)，使用a向和c向籽晶成功生長(zhǎng)出了大尺寸、無(wú)開

2、裂的Yb∶YVO4晶體和Yb∶YxLu1-xVO4晶體。
　　 對(duì)Yb∶YxLu1-xVO4晶體做了ICP測(cè)試，確定了晶體中各元素的含量，確定了晶體的化學(xué)式分別為Yb0.006Y0.923Lu0.071VO4(1#)，Yb0.005Y0.848Lu0.147VO4(2#)和Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4(3#)，通過(guò)XRD分析表征了晶體對(duì)稱性結(jié)構(gòu)，混晶屬于四方晶系，具有鋯石結(jié)構(gòu)。通過(guò)浮力法測(cè)試并計(jì)算得了Yb∶Yx

3、Lu1-xVO4晶體的密度，隨著Lu離子摻雜濃度的提高，晶體樣品的密度逐漸增大。通過(guò)TEM表征分析了晶體的位錯(cuò)缺陷，并通過(guò)晶體結(jié)構(gòu)分析了位錯(cuò)線呈一定取向性的原因。
　　 測(cè)試了混晶的比熱容分別為26.5 cal/mol·K（1#）、27.1 cal/mol·K（2#）、26.8cal/mol·K（3#），測(cè)試了混晶的熱膨脹系數(shù)，a軸和c軸的熱膨脹系數(shù)平均熱膨脹系數(shù)之比α33/α11分別為5.092，3.472和5.471，測(cè)試了