2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、在細(xì)間距封裝和3D封裝中,銅柱(Cupillars)互連作為一種有可能替代焊點(diǎn)互連的技術(shù),以其優(yōu)異的機(jī)械性能和抗電迀移性能,成為當(dāng)前研宄的熱點(diǎn)。目前采用熱壓鍵合工藝制備Cu-Sn-Cu互連凸點(diǎn)成為研宄Cu柱互連微結(jié)構(gòu)電迀移性能的主要制備工藝。然而,熱壓鍵合工藝對(duì)電鍍獲得的Cu-Sn柱表面平整度要求較高,且鍵合過(guò)程中形成脆性金屬間化合物(Intermetallic compound,IMC),對(duì)互連凸點(diǎn)的可靠性存在較大影響。而且,隨著互連

2、凸點(diǎn)尺寸的進(jìn)一步降低,對(duì)熱壓鍵合的工藝參數(shù)選擇提出了更高要求。因此,針對(duì)Cu柱互連微結(jié)構(gòu)的電迀移性能的研宄,亟需研發(fā)新的互連微結(jié)構(gòu)的制備工藝。
  在本論文中,首先采用光刻和連續(xù)電鍍工藝制備了直徑10-40μm的Cu-Sn-Ni-Cu互連柱,分別研宄Cu柱、Cu-Sn柱、Cu-Sn-Ni柱和Cu-Sn-Ni-Cu柱的幾何形貌和表面形貌,分析制備過(guò)程中互連柱的生長(zhǎng)及表面形貌變化規(guī)律,并對(duì)電鍍獲得的Cu-Sn柱和Cu-Sn-Ni-Cu

3、柱的界面進(jìn)行分析。
  基于所制備的Cu-Sn-Ni-Cu柱,采用連續(xù)電鍍和三次光刻工藝設(shè)計(jì)并制備Cu-Sn-Ni-Cu互連微結(jié)構(gòu),包括底層互連線、中間層Cu-Sn-Ni-Cu柱和頂層互連線微結(jié)構(gòu),并在頂層互連線制備中引入濺射Cu層作為中間層光刻膠的顯影阻擋層,從而獲得了一種新的具有良好電氣性能的互連微結(jié)構(gòu)。
  結(jié)合所制備的Cu-Sn-Ni-Cu互連微結(jié)構(gòu)的實(shí)際幾何參數(shù),采用多物理場(chǎng)耦合模擬方法,分析電迀移測(cè)試條件下互連微

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