引線材料與金屬間互化物的關(guān)聯(lián)性研究.pdf

1、集成電路不斷向著高集成度、小尺寸的方向發(fā)展,為了保證集成電路的能夠正常工作,電子封裝產(chǎn)業(yè)也在迅速發(fā)展,特別是連結(jié)集成電路與外引腳的引線鍵合工藝的發(fā)展直接影響到集成電路的發(fā)展。21世紀(jì)以來,多種封裝技術(shù)開始出現(xiàn),而引線鍵合技術(shù)具有低成本高質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)成為主要的封裝技術(shù)。銅絲在眾多引線鍵合絲中是耀眼的明星,銅材料所具備的優(yōu)良特性能夠在減少電子元器件成本的同時(shí)提高產(chǎn)品的可靠性,本文以銅絲球鍵合工藝及原理為基礎(chǔ),重點(diǎn)分析銅絲球在老化過程中與鋁合金

2、焊盤之間的金屬間互化物的生長情況及其可靠性,銀絲球與金絲球鍵合工藝及其在老化過程中金屬間互化物的生長與可靠性的結(jié)果作為對比對象被納入本文的研究范圍中。
　　為了更好的研究銅線鍵合后鍵合點(diǎn)金屬間互化物在老化情況下的生長情況及器件的可靠性,本文針對現(xiàn)有的銅線工藝進(jìn)行研究并加以改進(jìn)工藝參數(shù),優(yōu)化實(shí)驗(yàn)芯片鍵合點(diǎn)的金屬結(jié)合應(yīng)力,取性能測試最穩(wěn)定的部分芯片作為本文的實(shí)驗(yàn)對象。
　　本文的主要內(nèi)容是為了研究 Cu-Al及 Ag-Al金屬間

3、互化物( Intermetallic Compound IMC)的生長及可靠性,把Au-Al金屬間互化物的生長及可靠性作為對比。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本文主要采用高溫老化的實(shí)驗(yàn)手段,分別在150℃、175℃和250℃的老化條件下研究Cu-Al與Ag-Al的IMC(金屬間互化物)及Au-Al的IMC生長裂變機(jī)理。借助掃描電鏡SEM/EDX掃圖和界面成分掃描分析IMC生長,建立IMC生長動(dòng)力學(xué)模型,以及IMC生長速度分析。利用ANSYS建立器件