鈧:鈦擴散摻雜鈮酸鋰晶體制備及性能表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、光折變效應限制了鈮酸鋰晶體在有源和無源器件中的應用。研究發(fā)現僅摻雜2mol%鈧離子就可以有效抑制鈮酸鋰晶體的光折變效應。本文致力于研究鈧離子在鈮酸鋰晶體中的擴散摻雜特性,初步探索研究了鈧摻雜鈦擴散鈮酸鋰光波導的制作工藝,并對波導性能進行表征。
  本文的主要工作:
  1.通過高溫擴散制備了鈧摻雜鈮酸鋰晶體,利用二次離子質譜技術研究鈧離子的擴散特性,并用棱鏡耦合技術研究鈧離子對鈮酸鋰折射率和組分的影響;
  2.進一步

2、研究了鈧-鈦共同擴散時鈧離子的擴散特性。
  3.制備了鈧-鈦共同擴散鈮酸鋰平面光波導,利用IWKB算法研究波導層折射率變化分布,利用SIMS技術研究了鈦離子濃度分布,計算二者之間的關系;
  4.初步研究鈧摻雜鈦擴散鈮酸鋰條形光波導制作工藝,并進行性能表征。
  本文的研究結果,
  1.鈧離子對鈮酸鋰晶體的折射率和組分影響很??;鈧離子在鈮酸鋰晶體中的分布依舊服從高斯分布,利用鈧離子濃度分布,并結合理論計算,得

3、到了鈧離子的擴散系數。實驗數據顯示其擴散系數隨溫度的變化滿足Arrhenius定律,在此基礎上經過線性擬合得到了鈧離子的擴散常數、激發(fā)能等工藝參數;
  2.實驗發(fā)現鈦離子有助于鈧離子擴散,并得到鈧離子擴散特性與鈦膜厚度的關系式。分析這種現象的原因是:鈦離子擴散較快,先進入晶體以后導致晶體缺陷增加,導致鈧離子的擴散速率變大;
  3.研究表明:鈮酸鋰波導層折射率變化分布與鈦離子濃度分布同樣服從高斯分布,得到了兩者之間的關系式

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