鈮酸鋰薄膜的制備及其表征.pdf

1、LiNbO3材料是目前發(fā)現(xiàn)的具有優(yōu)越光學(xué)性能的材料之一,其具備壓電,聲光,非線性,電光,激光活性和光折變等眾多良好特性,被人們稱作“光學(xué)硅”。因此LiNbO3材料的研究一直備受世界各國研究者的關(guān)注。
　　 本文采用PLD技術(shù)分別在ITO玻璃襯底和硅基金剛石襯底上制備了LiNbO3薄膜材料。研究了襯底溫度、氧氣壓強(qiáng)和激光能量等工藝參數(shù)對LiNbO3薄膜結(jié)晶質(zhì)量和取向性的影響,確定了制備高質(zhì)量LiNbO3壓電薄膜的工藝參數(shù)范圍。最后

2、采用水熱合成制備法初步探討制備了鈮酸鋰納米材料。通過對各種表征結(jié)果的分析得出:
　　 1.采用PLD技術(shù)在ITO玻璃襯底上制備了LiNbO3薄膜,通過對影響沉積LiNbO3薄膜工藝參數(shù)的研究,制備了(104)和(006)取向的LiNbO3薄膜材料,其工藝參數(shù)為:(104)取向:襯底溫度為650℃,氧氣壓強(qiáng)為30Pa,激光頻率為3Hz,激光能量為230mJ,靶材與襯底距離為4cm。(006)取向:襯底溫度為650℃,氧氣壓強(qiáng)為50

3、Pa,激光頻率為3Hz,激光能量為230mJ,靶材與襯底距離為4cm。
　　 2.采用PLD技術(shù)在硅基金剛石上面制備了LiNbO3/SiO2多層膜結(jié)構(gòu),并研究了襯底溫度、氧氣壓強(qiáng)和激光頻率對鈮酸鋰薄膜C取向生長和薄膜缺鋰的影響,初步確定了利于LiNbO3壓電薄膜C軸取向生長和防止其缺鋰相出現(xiàn)的工藝參數(shù)范圍為:襯底溫度為680℃,氧氣壓強(qiáng)為60Pa,激光頻率為3Hz,激光能量為230mJ,靶材與襯底距離為4cm。
　　 3