銅表面緩蝕劑自組裝膜的表征及電化學(xué)性能研究.pdf

1、山東大學(xué)碩士學(xué)位論文銅表面緩蝕劑自組裝膜的表征及電化學(xué)性能研究姓名：華蘭申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：物理化學(xué)指導(dǎo)教師：陳慎豪2002.3.29坐奎查蘭些蘭墮主堂垡堡奎堡窶配位鍵而發(fā)生化學(xué)吸附，這是此類(lèi)分子形成SAMs的理論依據(jù)。本文以cu—N之間相互作用為建立自組裝體系，對(duì)合成、結(jié)構(gòu)、功能之間的關(guān)系進(jìn)行了研究，采用現(xiàn)代儀器表征技術(shù)STM(掃描隧道顯微鏡)，觀察了在Cu(111)表面上席夫堿自組裝膜的形貌，實(shí)驗(yàn)表明自組裝膜中的席夫堿分子在銅表

2、面致密有序地排列。用FTIR(Fourier變換紅外光譜)方法，從分子水平對(duì)所得到的自組裝膜進(jìn)行了表征，推斷出席夫堿自組裝膜分子是以一C=N官能團(tuán)與銅表面發(fā)生化學(xué)吸附而形成的，用XPS(x射線光電子)角度分辨法進(jìn)一步印證了席夫堿中的N原子在自組裝膜形成過(guò)程中直接與銅發(fā)生了作用。席夫堿自組裝膜的XPS實(shí)驗(yàn)表明中銅以Cu(o)和Cu(I)狀態(tài)存在。采用XPS角度分辨對(duì)銅的vophv自組裝膜的Cu2p峰掃描，計(jì)算出銅的VophVSAMs膜厚約

3、286A采用電化學(xué)方法，對(duì)于銅表面緩蝕劑自組裝膜性質(zhì)及其影響因素進(jìn)行研究。本文采用極化曲線和交流阻抗技術(shù)，測(cè)定了緩蝕效率，研究了分子膜的表面覆蓋度、缺陷及形態(tài)分布。研究結(jié)果表明所選用的席夫堿V0phV、N—Oph—N和VbsoBr自組裝膜的緩蝕效率一般為85％至92％，將上述三種膜用硫醇(DDT)改進(jìn)后緩蝕效率可增加到98％以上。采用7MHNO，對(duì)銅電極預(yù)處理，延長(zhǎng)組裝時(shí)間有利于制備均勻、致密的缺陷較少的自組裝膜。增加緩蝕劑濃度有利于自