量子點(diǎn)輔助合成MoS2及其性能研究.pdf

1、近期，以石墨烯為代表的二維片層材料受到了科研人員的廣泛關(guān)注。大的表面積，豐富的表面懸掛鍵，片層間弱的相互作用力，可控的能帶結(jié)構(gòu)以及邊緣效應(yīng)等優(yōu)勢(shì)是其他材料所不能比擬的，使得二維片層材料在鋰離子電池、超級(jí)電容器、太陽(yáng)能電池以及催化領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用潛力。以MoS2為代表的過(guò)渡金屬二維片層材料成為了現(xiàn)在的研究熱點(diǎn)。除了前述二維材料的優(yōu)勢(shì)外，MoS2也具有較大的帶隙寬度，晶體結(jié)構(gòu)的可調(diào)性，元素價(jià)態(tài)的多樣性等特性。目前，合成出超薄、1T相的Mo

2、S2是科研人員的努力方向。主要的合成方法包括機(jī)械剝離法、嵌鋰輔助剝離法、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、液相合成法等。這些方法有的存在反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，有的存在操作復(fù)雜、設(shè)備要求高的問(wèn)題，有的則存在合成出超薄的片層結(jié)構(gòu)的產(chǎn)率低的問(wèn)題。在現(xiàn)有合成方法的基礎(chǔ)上，我們提出了利用量子點(diǎn)輔助水熱合成MoS2的方案。利用量子點(diǎn)的納米尺度所帶來(lái)的表面效應(yīng)，可以成為形核中心，促進(jìn)MoS2的形核過(guò)程，加快反應(yīng)速度。同時(shí)量子點(diǎn)在片層表面的吸附可以起到減薄的效果，

3、同時(shí)也可以與片層作用，擴(kuò)大片層間距，以及促進(jìn)1T相的合成。主要研究?jī)?nèi)容如下：
　　(1)我們提出了一種綠色高效的硅量子點(diǎn)(Si-QDs)的液相化學(xué)合成方法，利用水熱過(guò)程提供的高溫高壓、密閉的環(huán)境，促進(jìn)了量子點(diǎn)的合成。同時(shí)有機(jī)硅烷、抗壞血酸鈉等反應(yīng)物的選擇，使得合成產(chǎn)物綠色無(wú)污染，符合現(xiàn)代化學(xué)的理念。除了合成過(guò)程的簡(jiǎn)單易行，我們的產(chǎn)物也具備了熒光量子產(chǎn)率高、穩(wěn)定性好、較單一藍(lán)色熒光等優(yōu)點(diǎn)。Si-QDs在熒光標(biāo)記、離子檢測(cè)、液晶顯示等

4、多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
　　(2)我們利用水熱法合成高質(zhì)量的熒光出碳量子點(diǎn)(C-QDs)，然后量子點(diǎn)輔助水熱合成出超薄的MoS2。針對(duì)2H-MoS2的導(dǎo)電性差的問(wèn)題，我們利用C-QDs的摻入得到了2H相和1T相共存以及片層間距擴(kuò)大的MoS2，同時(shí)超薄的MoS2的片層可以有利于電化學(xué)過(guò)程中的電子遷移運(yùn)動(dòng)。我們將C-QDs/MoS2應(yīng)用于超級(jí)電容器電極材料領(lǐng)域，得到了高達(dá)145F/g的質(zhì)量比容量，循環(huán)2000次后容量保持率達(dá)到98

5、％的優(yōu)秀性能。同時(shí)交流阻抗曲線數(shù)據(jù)證明了我們C-QDs的加入有效的降低了材料的電阻，提高了導(dǎo)電性。
　　(3)我們利用合成出的Si-QDs輔助合成出超薄1T相的MoS2。得到的MoS2納米花球的片層厚度約10nm，同時(shí)(002)晶面間距擴(kuò)大到0.94nm，以及1T相的出現(xiàn)，提高了MoS2的催化性能。我們將Si-QDs/MoS2用于光催化降解甲基橙，得到了0.0774min-1的降解速率。經(jīng)過(guò)價(jià)帶能隙補(bǔ)償差值(VBO)的計(jì)算，發(fā)現(xiàn)其