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文檔簡介
1、極紫外光刻是下一代大容量集成電路制造中最有發(fā)展前景的技術之一，而激光等離子體光源(LPPS)因具有轉化效率高，碎屑可控制，光源尺寸小等特點而被認為是實現(xiàn)極紫外光刻最有潛力的途徑之一。然而，光源產(chǎn)生的同時會伴有離子碎屑的噴濺，尤其是高能碎屑會損壞極紫外光刻中的光學元件，因此碎屑的減緩及阻擋一直是光源研究中亟需解決的關鍵問題。使用雙脈沖激光輻照靶材已被證實是一種對減緩碎屑切實有效的方法，此時，初始密度低、密度分布平滑的預等離子體代替了傳統(tǒng)的
2、全密度固體靶材與主脈沖相互作用，大幅度降低了離子碎屑的動能，并且同時不會影響光源的轉換效率。
本論文通過引入不同波長的預脈沖激光用于減緩Gd等離子體中離子碎屑，研究此過程中的碎屑動力學特性。在真空環(huán)境中，采用1064nm主脈沖激光以及波長為1064nm、532nm以及355nm的預脈沖激光共同輻照Gd靶材，通過改變預脈沖激光能量以及雙脈沖間延遲時間研究其對離子動能以及角度分布影響規(guī)律。在背景氣體環(huán)境中，采用1064nm主脈沖激
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