導納譜法研究有機半導體的界面陷阱自由能,前置因子和陷阱態(tài)密度.pdf

1、導納譜法是在不同邊界條件下，根據空間電荷限制電流理論，推導并建立的描述有機半導體傳輸機制的理論模型。本文用導納譜法來研究結構相似的有機半導體厚度依賴的載流子遷移率、場依賴因子、陷阱態(tài)等內容。對導納譜法的理論模型、場依賴因子、陷阱態(tài)的理論模型進行較為深入的研究，最后通過有機半導體材料的器件實驗完善這些理論模型。
　　主要的內容如下：
　?。?）闡述導納譜學的方法、原理等，介紹了常用的載流子傳輸機制、遷移率模型，總結了無陷阱時單

2、載流子導納模型、載流子以指數(shù)形式分布下的單載流子導納模型、遷移率與載流子濃度有關時的導納模型、分析界面態(tài)下的導納模型，并將其應用在遷移率、定域態(tài)、負電容方面。
　?。?）制備兩種有機半導體器件ITO/NPB（50nm-800nm）/Al，ITO/TPD（50nm-800nm）/Al，阻抗譜儀測量阻抗信息，并運用粒子群算法獲得兩種有機材料的載流子遷移率與厚度之間的聯(lián)系。數(shù)據結果顯示，電荷載流子遷移率與厚度有關。有機半導體層厚度增加時

3、，遷移率也增加，到達600nm時，遷移率趨于穩(wěn)定值。通過AFM、XRD實驗結果排除了薄膜表面形貌、結晶對遷移率的影響。從熱力學角度提出了界面陷阱自由能來解釋厚度依賴的載流子遷移率。
　?。?）影響遷移率的因素成分有很多，如載流子濃度、施加的電場強度、實驗室溫度、氣壓、有機材料的分子取向和純度等。場依賴因子、零電場遷移率是經驗方程Poole-Frenkel(P-F)的重要參數(shù)。詳細描述場依賴因子的研究現(xiàn)狀，對Poole-Frenke