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文檔簡介
1、有機電子學已經(jīng)成為一個新興的前沿領域,本論文將導納譜方法應用于有機半導體的載流子輸運研究中。本論文結(jié)合具體的有機半導體材料,對導納譜模型進行適當?shù)男拚?,將導納譜方法用于研究N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)的遷移率、八羥基喹啉鋁(Alq3)的陷阱濃度、2,7-二芘基-9-苯基-9-芘基芴(以下簡寫為DPPPF)的缺陷態(tài),主要內(nèi)容如下:
?。?)從泊松方程
2、、電流密度方程入手,建立了單載流子注入的導納模型。制備了僅傳空穴的單層器件(ITO/NPB/Ag),測試其導納譜,并通過用該模型擬合實驗數(shù)據(jù),得到了NPB的遷移率和色散參數(shù)。從結(jié)果來看,NPB中的空穴為為非色散傳輸;另外,我們還通過負微分電納法、阻抗虛部、等效電路法幾種不同的方法得到了NPB的遷移率,并對所得結(jié)果進行了比較。
(2)對單載流子注入導納模型進行修正,建立了單載流子注入時、考慮陷阱影響的理論導納模型,通過用該模型擬
3、合實驗數(shù)據(jù),可以得到材料的陷阱濃度和遷移率等參數(shù);制備了僅傳電子的單層器件(ITO/Alq3/Ag),測試了器件的導納譜,用上述導納模型來擬合器件的電容譜,得到了Alq3的陷阱濃度和遷移率等參數(shù)。
?。?)用導納譜研究了本課題組合成的新材料DPPPF,結(jié)合電容譜,分析得出了DPPPF的缺陷態(tài)分布以及缺陷濃度,并用高斯模型分析了缺陷態(tài)分布。結(jié)果顯示,在DPPPF中,總的陷阱濃度約為6×1016cm-3,缺陷態(tài)分布范圍為0.32-0
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