強(qiáng)關(guān)聯(lián)材料電子態(tài)密度能譜計(jì)算與模擬.pdf

1、STM可以測得實(shí)空間中二維材料的能態(tài)密度譜，不同材料的能態(tài)密度譜具有不同的形狀，相同的材料在不同的相中也會得到不同形狀的能態(tài)密度譜。這里能譜的不同形狀是指，在譜圖中某一偏壓下，出現(xiàn)一個峰值或者打開了一個能隙，這都對應(yīng)著材料中某一特征能量的出現(xiàn)。所以，通過理論模擬STM測得的dI/dV能譜，對理解材料中特征能量是如何形成的以及指導(dǎo)STM實(shí)驗(yàn)檢測材料具有十分重要的意義。
　　本論文主要以能帶理論、Bardeen的隧穿電流理論和格林函數(shù)

2、方法為基礎(chǔ)，求解了二維體系窄帶的色散關(guān)系，研究了s波、d波超導(dǎo)體的一般性dI/dV能譜特征，論證了格林函數(shù)方法與STM能譜的關(guān)系。這樣就初步形成了一套從STM測得的能譜數(shù)據(jù)來認(rèn)識材料電子結(jié)構(gòu)的模擬方法。之后將這套方法應(yīng)用在高溫銅氧化物超導(dǎo)中，并在計(jì)算的過程中引入了八重矢量模型方法求得高溫銅氧化物超導(dǎo)的干涉圖樣，比較了格林函數(shù)方法與箱態(tài)密度法的區(qū)別與聯(lián)系。在模擬計(jì)算重費(fèi)米子材料時，引入了計(jì)算多帶的格林函數(shù)方法和計(jì)算干涉圖樣的格林函數(shù)方法。