強關聯材料電子態(tài)密度能譜計算與模擬.pdf

1、STM可以測得實空間中二維材料的能態(tài)密度譜，不同材料的能態(tài)密度譜具有不同的形狀，相同的材料在不同的相中也會得到不同形狀的能態(tài)密度譜。這里能譜的不同形狀是指，在譜圖中某一偏壓下，出現一個峰值或者打開了一個能隙，這都對應著材料中某一特征能量的出現。所以，通過理論模擬STM測得的dI/dV能譜，對理解材料中特征能量是如何形成的以及指導STM實驗檢測材料具有十分重要的意義。
　　本論文主要以能帶理論、Bardeen的隧穿電流理論和格林函數

2、方法為基礎，求解了二維體系窄帶的色散關系，研究了s波、d波超導體的一般性dI/dV能譜特征，論證了格林函數方法與STM能譜的關系。這樣就初步形成了一套從STM測得的能譜數據來認識材料電子結構的模擬方法。之后將這套方法應用在高溫銅氧化物超導中，并在計算的過程中引入了八重矢量模型方法求得高溫銅氧化物超導的干涉圖樣，比較了格林函數方法與箱態(tài)密度法的區(qū)別與聯系。在模擬計算重費米子材料時，引入了計算多帶的格林函數方法和計算干涉圖樣的格林函數方法。