TFET單元庫設計技術研究.pdf

1、TFET作為新型的低功耗器件，物理結構上采用源漏區(qū)非對稱性摻雜，通過外加柵電壓控制能帶偏移，進而利用隧道擊穿原理實現(xiàn)器件工作。與傳統(tǒng)漂移擴散機制MOSFET器件相比，TFET器件的亞閾值斜率能夠突破60mV/dec的限制，能夠在較低電源電壓下獲得更大的電流開關比，從而實現(xiàn)超低功耗的目標。
　　數(shù)字標準單元庫是集成電路設計自動化的關鍵，是銜接前端設計與后端物理實現(xiàn)的橋梁。本文在基于傳統(tǒng)MOSFET建庫技術基礎上，探究了TFET應用的

2、研究方向，將TFET器件應用于數(shù)字標準單元庫設計上。在已有技術的基礎上，利用TFET器件模型，進行了相關研究，并在單元設計、版圖規(guī)劃和器件檢測方面取得一定成果。
　　基于傳統(tǒng)工藝的MOSFET器件，進行了建庫工作，包含庫單元的原理圖提取及優(yōu)化，特性仿真和版圖繪制，并利用已有的庫單元，完成整體的建庫流程，包含最重要的各類庫文件生成及相應腳本文件編寫。
　　在單元設計中，針對單元的組合邏輯和時序邏輯電路進行深入研究，并結合TFE

3、T器件模型，對傳輸門邏輯對整體電路的設計影響進行分析，進而對比選擇適合TFET器件的電路設計結構；另外，根據(jù)現(xiàn)有的模型兼容性問題，設計了測試觸發(fā)器電路建立時間和保持時間的雙時鐘邊沿測試電路。
　　在版圖規(guī)劃方面，依據(jù)流片測試的版圖模型并結合單元庫設計方案，對單元版圖進行了規(guī)劃，并針對TFET器件的版圖檢測進行研究，修改了相應DRC檢測規(guī)則使之能夠針對TFET器件的特殊結構進行檢測，其中包含針對一般類型的TFET器件，以及包含Poc