MEMS溫度傳感器中ICP刻蝕技術(shù)研究.pdf

1、隨著MEMS傳感器應(yīng)用越來(lái)越普及，在對(duì)其加工工藝的要求也在不斷提高。作為MEMS器件加工的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)—ICP刻蝕技術(shù)，因其刻蝕過程自動(dòng)化程度高、刻蝕側(cè)壁垂直度好、大面積刻蝕均勻性好及污染少等優(yōu)點(diǎn)，目前被廣泛應(yīng)用于體硅MEMS工藝中的高深寬比刻蝕。但是由于ICP刻蝕技術(shù)的機(jī)理比較復(fù)雜，影響刻蝕結(jié)果的工藝參數(shù)較多，所以ICP刻蝕技術(shù)總體上還不夠成熟，具體表現(xiàn)在沒有具體的ICP刻蝕仿真工具軟件，刻蝕工藝參數(shù)不易調(diào)整，對(duì)刻蝕結(jié)果的預(yù)測(cè)不夠準(zhǔn)確

2、等，所以現(xiàn)在工藝上主要通過大量的實(shí)驗(yàn)來(lái)對(duì)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整、驗(yàn)證及改進(jìn)，已達(dá)到刻蝕的要求。
　　本論文是在本課題組前期對(duì)不同形貌結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝進(jìn)行研究的基礎(chǔ)上，在設(shè)計(jì)溫度傳感器梳齒結(jié)構(gòu)的加工過程中，確立的ICP刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)?zāi)康募肮に噮?shù)調(diào)整的方向。實(shí)驗(yàn)首先研究ICP刻蝕的各參數(shù)對(duì)其刻蝕結(jié)果的影響，重點(diǎn)研究刻蝕/鈍化周期、氣體流量、極板功率和偏置電壓等條件因素對(duì)刻蝕結(jié)果產(chǎn)生的影響，最后采用正交實(shí)驗(yàn)法設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案。分別優(yōu)化得到了三種尺寸槽寬