抗原子氧防靜電聚酰亞胺表面改性技術(shù)研究.pdf

1、聚酰亞胺（PI）具有十分優(yōu)異的力學(xué)性能和化學(xué)穩(wěn)定性，熱學(xué)、光學(xué)性能良好，在航天，航空，精細(xì)化工，微電子，精密光學(xué)等領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用背景和不可替代性。由于低地球軌道空間中存在對(duì)航天器造成嚴(yán)重威脅的原子氧（AO）以及太空多變復(fù)雜的等離子體環(huán)境對(duì)飛行器表面的充放電效應(yīng)，對(duì)聚酰亞胺采取抗AO及防靜電等措施是十分必要的。
　　本文通過(guò)硅烷化改性和離子交換法，以六甲基二硅氮烷（HMDS）、bis、三氯甲基硅烷（MTS）、SiCl4、Sn

2、Cl4、AlCl3·6H2O、Zn(NO3)2·6H2O等制備抗AO表面改性聚酰亞胺，并對(duì)其光學(xué)性能、元素組成、表面形貌、化學(xué)結(jié)構(gòu)、AO侵蝕作用影響等進(jìn)行了研究。在抗AO改性聚酰亞胺基礎(chǔ)上沉積了ITO涂層，研究了ITO/抗 AO表面改性聚酰亞胺的光學(xué)性能、表面形貌、電學(xué)性能、ITO涂層與基底結(jié)合情況及AO侵蝕效應(yīng)影響。
　　研究結(jié)果表明，同HMDS光活化改性聚酰亞胺、b is1光活化改性聚酰亞胺、bis1濕化學(xué)法改性聚酰亞胺、bi

3、s2光活化改性聚酰亞胺、Al2O3/聚酰亞胺、ZnO/聚酰亞胺、SnO2/聚酰亞胺相比，MTS改性聚酰亞胺與SiCl4改性聚酰亞胺經(jīng) AO輻照后單位面積質(zhì)量損失最小，光學(xué)透過(guò)率下降亦最小，表面形貌未受明顯剝蝕，原始聚酰亞胺單位面積質(zhì)量損失分別為 MTS改性聚酰亞胺與SiCl4改性聚酰亞胺的26.7倍和24.9倍。SiCl4改性聚酰亞胺的表面存在大量裂紋，MTS改性聚酰亞胺未見(jiàn)裂紋，所以MTS改性聚酰亞胺具有最為優(yōu)異的抗AO綜合性能。