共晶和多晶型的制備及性能研究.pdf

1、共晶在光電、半導(dǎo)體等材料領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用越來(lái)越廣泛，本文利用溶液法及溶劑輔助研磨法制備了一系列共晶，并探索其晶體結(jié)構(gòu)、熱力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)，以及通過(guò)培養(yǎng)查爾酮類化合物的多種晶型，探究超分子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能的關(guān)系。
　　(1)合成1-乙?；?3-對(duì)甲氧基苯基-5-（9-芘基）-2-吡唑啉(AMPP)，1-乙?；?3-苯基-5-（9-芘基）-2-吡唑啉(APPP)和1-乙?；?3-對(duì)甲氧基苯基-5-（1-蒽基）-2-吡唑啉(AMPE)三

2、種毗唑啉化合物，并分別以其作為電子供體，以四氯苯醌為電子受體，制備三種電荷轉(zhuǎn)移共晶。測(cè)定其晶體結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)共晶Ⅰ和Ⅱ中電子供體(AMPP、APPP)中芘環(huán)與受體TCQ采用面面π-π交替堆積模式，而共晶Ⅲ中AMPE的蒽環(huán)與TCQ采取分裂堆積模式，不存在π重疊。固態(tài)漫反射在長(zhǎng)波段均呈現(xiàn)明顯的電荷轉(zhuǎn)移帶，DFT方法PBE1PBE/6-311G基組，直接由單晶結(jié)構(gòu)計(jì)算表面共晶中電荷從稠芳環(huán)向TCQ轉(zhuǎn)移的特點(diǎn)。
　　(2)采用溶劑輔助研磨法，

3、分別將AMPP、APPP、AMPE與TCQ研磨。通過(guò)比對(duì)原料、研磨樣品以及溶液法得到的共晶的PXRD，發(fā)現(xiàn)滴加乙腈研磨并沒(méi)有得到共晶Ⅰ或共晶Ⅱ，而滴加丙酮可得到共晶Ⅲ。在研磨1∶1 AMPE與TCQ發(fā)現(xiàn)PXRD中存在TCQ的峰，而2∶1研磨中將不存在，結(jié)合溶液法得到的共晶Ⅲ中單晶結(jié)構(gòu)顯示AMPE與TCQ化學(xué)計(jì)量比為2∶1，表明研磨法不僅可發(fā)現(xiàn)共晶，還可推測(cè)其中分子比例。
　　(3)設(shè)計(jì)合成了三類查爾酮并制備多種晶型，即查爾酮Ⅰ的兩