摻雜對(duì)羥基氧化鎳修飾n型硅光電化學(xué)傳感電極的影響.pdf

1、過(guò)氧化氫作為一種比較活潑的新陳代謝的副產(chǎn)物，在許多與神經(jīng)有關(guān)的反應(yīng)中起著關(guān)鍵的作用。在食品、臨床、環(huán)境監(jiān)測(cè)、水質(zhì)監(jiān)測(cè)等許多的領(lǐng)域中我們都能看到有過(guò)氧化氫的存在。因此能夠快速且準(zhǔn)確的檢測(cè)過(guò)氧化氫是非常有意義的。氨基酸作為蛋白質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)單位，是動(dòng)物合成蛋白質(zhì)的原料，且在醫(yī)學(xué)、工業(yè)、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著重要的作用。因此能夠快速的檢測(cè)和區(qū)分開(kāi)各種氨基酸是非常重要的。
　　本文基于半導(dǎo)體硅材料、鉑金、羥基氧化鎳的特性，主要探討了兩種以半導(dǎo)體硅

2、為基底的光電化學(xué)傳感器。首先，我們利用真空蒸鍍技術(shù)在拋光好的n-n+-Si的表面蒸鍍上金屬鉑，然后再在金屬鉑上面修飾一層物質(zhì)識(shí)別單元，最后采用兩電極體系（無(wú)參比電極），在無(wú)外加電壓下持續(xù)可見(jiàn)光照射，對(duì)不同的體系滴加不同的待測(cè)物質(zhì)，考察兩個(gè)體系對(duì)不同待測(cè)物質(zhì)的光電流響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容主要包括以下兩個(gè)部分：
　　1. Cd的摻雜對(duì)羥基氧化鎳修飾n型硅電極檢測(cè)雙氧水的影響
　　通過(guò)在n型硅表面鍍鉑金(Pt)和摻雜了Cd的氧化鎳(NiO

3、)復(fù)合膜的方法制備了一種新型的無(wú)霉的用于檢測(cè)過(guò)氧化氫(H2 O2）的光電化學(xué)傳感器(Cd-NiO/Pt/n-n+-Si)。用真空鍍膜機(jī)在n型硅的正面蒸鍍上一層大約40 nm厚的金屬鉑層，而其背面蒸鍍上一層大約500nm厚的金屬鋁，然后用電化學(xué)陰極沉積的方法在鍍有金屬鉑的n型硅上電鍍上一層摻雜有Cd離子的氧化鎳膜。最后在0.2 M KOH溶液中用循環(huán)伏安(CV)處理得到摻雜有Cd的羥基氧化鎳膜，即Cd-NiOOH/Pt/n-n+-Si電極

4、。修飾電極的組成成分和表面形貌分別使用X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)和掃描電子顯微鏡(SEM)進(jìn)行表征。在無(wú)外加電壓下，使用以Cd-NiOOH/Pt/n-n+-Si電極為工作電極，鉑電極為對(duì)電極的兩電極體系對(duì)過(guò)氧化氫進(jìn)行檢測(cè)。并且我們對(duì)鎘離子的摻雜量進(jìn)行了討論，最后確定摻雜了3.5％鎘的修飾電極在pH為13.3的KOH溶液中的靈敏度最好，為254.6μA cm-2 mM-1，并且在0.02-0.12 mM范圍內(nèi)對(duì)過(guò)氧化氫有著良好的線(xiàn)性響應(yīng)，

5、檢測(cè)線(xiàn)(S/N=3）為2.2μM。此外該修飾電極還表現(xiàn)出了良好的抗干擾性、穩(wěn)定性和選擇性。
　　2.鎘鈷雙重?fù)诫s羥基氧化鎳電極對(duì)甘氨酸的檢測(cè)
　　使用電化學(xué)陰極沉積法在鍍有鉑金的n型硅電極(Pt/n-n+-Si)上電鍍一層摻雜了鈷和鎳的氫氧化鎳[Ni(OH)2]薄膜的方法在研制出一種新型的無(wú)酶的甘氨酸(glycin)光電化學(xué)傳感器。通過(guò)使用循環(huán)伏安掃描對(duì)電極的表面成分進(jìn)行活化。Ni0.7 Co0.2 Cd0.1(OH)2膜的