平面集成LC單元在電磁兼容中的應用.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩80頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、EMI濾波器以其抑制開關電源中傳導電磁干擾的有效性而得到越來越多的重視。相比于分立元件構成的濾波器,平面 EMI濾波器擁有整體體積小、高頻性能好等優(yōu)點。環(huán)形平面 EMI濾波器以環(huán)形LC單元為基本結構,將EMI濾波器的各基本元件集成于同一結構中。本文從濾波器基本單元、整體結構、插入損耗測試、近場參數(shù)提取等方面研究如何進一步的提高平面濾波器性能,具體內(nèi)容有:
  (1)針對本課題組和其它論文提出的平面濾波器典型組合結構,本文研究了平面

2、線圈的寄生參數(shù)對插入損耗的影響,分析了平面線圈的導線截面設計與等效并聯(lián)電容和等效串聯(lián)電阻之間的關系。為減小寄生參數(shù),提出了采用分股并聯(lián)的結構代替原有的單股結構。結合LC單元不同連接方式下的等效電路,提出了4種針對不同的阻抗條件的平面EMI濾波結構。詳細分析了4種不同的結構,并給出了差模電感與共模電感的計算公式;針對差模電感與共模電感的要求,對磁芯結構進行了改進。
  (2)鑒于傳統(tǒng)插入損耗測試方法較為復雜,本文應用二端口網(wǎng)絡散射參

3、數(shù)分析濾波器傳輸特性,提出采用S參數(shù)測量并預測任意阻抗條件下插入增益的方法;分析平面濾波器器內(nèi)部的近場耦合,建立了其差模結構的近場集中參數(shù)模型,并分析了如何應用S參數(shù)法提取近場耦合參數(shù);簡要的分析了EMI濾波器與開關電源之間的近場耦合,應用EMSCAN掃描分析開關電源的近場輻射特性,并應用saber軟件仿真分析了EMI濾波器與開關電源近場耦合對EMI濾波器性能的影響。
  (3)針對一臺反激電源,分析其傳導干擾模型,給出濾波器設計

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論