Al-CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋設(shè)計(jì)及發(fā)火性能研究.pdf

1、為提高半導(dǎo)體橋的輸出能量，本文通過理論分析選用Al/CuO作為含能材料，設(shè)計(jì)制作了兩種橋型的Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋。在不同激勵(lì)條件下對(duì)Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋進(jìn)行電爆性能實(shí)驗(yàn)、高速攝影實(shí)驗(yàn)、測溫實(shí)驗(yàn)和安全性實(shí)驗(yàn)，研究了Al/CuO薄膜對(duì)復(fù)合半導(dǎo)體橋電爆性能的影響規(guī)律，驗(yàn)證了Al/CuO薄膜用于提高半導(dǎo)體橋輸出能量的可行性和有效性。主要得出以下結(jié)論:
　　(1)Al/CuO薄膜對(duì)多晶硅起爆過程沒有影響，Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋電爆

2、性能隨激勵(lì)條件改變的變化規(guī)律與多晶硅半導(dǎo)體橋一致。Al/CuO膜的導(dǎo)熱系數(shù)較大，增大了熱消散能量，導(dǎo)致Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋爆發(fā)時(shí)間增長，爆發(fā)消耗能量增大。
　　(2)在電容47μF，充電電壓為30V、40V、50V條件下，Al/CuO復(fù)合尖角半導(dǎo)體橋爆發(fā)產(chǎn)物的空間尺寸和持續(xù)時(shí)間大于多晶硅半導(dǎo)體橋，輸出能量顯著提高。
　　(3)在高能量激勵(lì)條件下，兩種橋型的Al/CuO復(fù)合半導(dǎo)體橋爆發(fā)產(chǎn)物的溫度明顯高于多晶硅半導(dǎo)體橋，隨著