808nm半導(dǎo)體激光器的設(shè)計與分析.pdf

1、分類號TN3128密級公開重慶郵電大學(xué)碩士學(xué)位論文semiconductorlaser碩士研究生朱陳忠指導(dǎo)教師學(xué)科專業(yè)論文評閱人盈艘魚聾塹緝磁壘塹!擔(dān)竺函答辯委員會主席!翟之塹絲盤煎鯉螳。2013年4月20日重慶郵電大學(xué)碩士論文摘要摘要隨著激光技術(shù)的發(fā)展，光電子技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的不斷提高，半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用已經(jīng)覆蓋了整個光電子領(lǐng)域，是當(dāng)前光電子科學(xué)的核心。808nm半導(dǎo)體激光器主要用于泵浦Nd：YAG固體激光器或者制作成陣列來大大增加輸出功率

2、達到市場要求。由于作為泵浦源的半導(dǎo)體激光器要求具有功率大、閾值電流低、量子效率高等特點，傳統(tǒng)的體材料激光器已經(jīng)不能滿足市場要求，從而作為半導(dǎo)體激光器發(fā)展里程碑的量子阱激光器成為現(xiàn)階段半導(dǎo)體激光器研究的熱點。量子阱激光器利用其極薄的有源區(qū)而產(chǎn)生量子效應(yīng)的特點，極大地降低了器件的閾值電流，并且提高了激光器的輸出功率和量子效率。本文首先綜述了大功率半導(dǎo)體激光器的發(fā)展及其應(yīng)用，然后從理論上分析了大功率激光器的原理，接著設(shè)計了808nm半導(dǎo)體激光

3、器的結(jié)構(gòu)。通過理論分析和模擬仿真，得到有源區(qū)結(jié)構(gòu)的材料和尺寸，即取InGaAIAs為量子阱材料，通過軟件模擬仿真了鋤的組分變化對特征溫度的影響以及量子阱厚度、特征溫度和材料增益的關(guān)系，得出砌取013，彳，取012，厚度取10nm的結(jié)論。設(shè)計了其他外延層結(jié)構(gòu)，模擬了不同波長的材料增益曲線，得出了在808nm左右波長處有最大增益的結(jié)論。經(jīng)過工藝制作以及對散熱部分的溫度場模擬，獲得了激射波長為808nm，輸出功率為200W，光譜半寬為44nm