在增益半導體中TDFWM-IL普適信號強度的理論研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、針對半導體增益介質(zhì)的光學特性，運用拋物線形增益譜，對非相干光時延四波混頻(TDFWM-IL)信號強度進行了Monte-Carlo仿真、推導。其具體工作如下:
　　 (1)基于半導體光放大器寬帶二能級模型理論，運用密度矩陣、微擾方法及旋轉(zhuǎn)波近似，研究了四波混頻相關(guān)的三階電極化強度。進而運用增益半導體的拋物線形、非相干光復隨機統(tǒng)計平均方法，建立了在半導體增益介質(zhì)中、含有載流子濃度的簡并、非簡并TDFWM-IL信號強度隨時間延遲的表達

2、式。
　　 (2)對TDFWM-IL信號強度的Monte-Carlo仿真，結(jié)果表明:增益半導體與非增益介質(zhì)不同。信號強度與背景載流子濃度緊密相關(guān)，載流子濃度越高，信號強度值越大。相應地，在相干峰尾部，信號強度隨著時間延遲的衰減曲線也有很大不同，對一給定的縱向弛豫時間和橫向弛豫時間，較大的載流子濃度所對應的信號強度衰減越快。
　　 (3)運用級數(shù)展開法，對信號強度進行了理論研究，獲得了適于超快時間（皮秒）測量含注入載流子濃

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