APD電路模擬與過(guò)剩噪聲因子實(shí)驗(yàn)研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、在高速長(zhǎng)距離光通信系統(tǒng)中,APD雪崩光電二極管正受到越來(lái)越多的重視,因?yàn)槠鋬?nèi)部增益可提供更高的靈敏度余量。如今2.5GbpsInP-APD已經(jīng)成熟商用,10GbpsInP-APD也開(kāi)始占領(lǐng)市場(chǎng)。但受限于InP倍增材料不理想的增益帶寬積和噪聲特性,目前還很難制備出滿足40Gbps及以上速率應(yīng)用的APD器件。本文分別就APD增益帶寬積和過(guò)剩噪聲特性進(jìn)行了電路模擬和實(shí)驗(yàn)測(cè)試研究,對(duì)高速低噪聲APD的研制具有指導(dǎo)意義。
　　首先建立了AP

2、D雪崩光電二極管的等效電路模型。通過(guò)從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中擬合必要的參數(shù),對(duì)載流子速率方程進(jìn)行等效變換得到了用于CadencePSpice軟件平臺(tái)的APD子電路模型。此模型能夠很好的表征特定結(jié)構(gòu)InP/InGaAsAPD的直流、頻響和瞬態(tài)響應(yīng)特性。在此基礎(chǔ)上模擬了此芯片的增益帶寬積,并討論了封裝技術(shù)對(duì)增益帶寬積的影響。
　　為了研究過(guò)剩噪聲特性,本文對(duì)已有系統(tǒng)進(jìn)行了完善,搭建了一種改進(jìn)后的APD過(guò)剩噪聲因子測(cè)試系統(tǒng),能夠同步測(cè)量APD的增益

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