一種CBSLOPLDMOS及其源極浮動(dòng)SENSE FET器件設(shè)計(jì).pdf

1、高壓功率器件作為電源管理芯片的重要組成部分，緩解其耐壓和比導(dǎo)通電阻的矛盾關(guān)系一直是該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。叉指狀結(jié)構(gòu)橫向高壓MOSFET器件的源端指尖部分由于掩膜板為弧形所造成橫向曲率效應(yīng)容易導(dǎo)致器件提前擊穿。另外，模擬系統(tǒng)中常利用SENSE FET做電流檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)電流模式控制電源管理芯片或者過(guò)流保護(hù)等作用，而檢測(cè)器件的源極不易浮動(dòng)問(wèn)題會(huì)影響電流檢測(cè)準(zhǔn)確性。基于此，本文重點(diǎn)研究一種高耐壓、低導(dǎo)通電阻的LDMOS結(jié)構(gòu)，及其源極浮動(dòng)的SENSE

2、FET器件。本文主要內(nèi)容如下：
　　1．研究CBSLOP LDMOS器件。引入CBSLOP結(jié)構(gòu)，有效改善器件耐壓和比導(dǎo)通電阻的矛盾關(guān)系。從漂移區(qū)濃度、P/N條劑量、電荷平衡等方面研究各參數(shù)對(duì)器件耐壓和電阻的影響。
　　2．解決橫向曲率效應(yīng)問(wèn)題。對(duì)叉指狀版圖源端指尖部分采用襯底終端技術(shù)，擴(kuò)大曲率半徑，有效緩解曲率效應(yīng)，避免器件提前擊穿。利用Silvaco軟件，采用圓柱坐標(biāo)，仿真分析體區(qū)P-body長(zhǎng)度和襯底終端部分的參數(shù)對(duì)器件