垂直記錄磁極尖等離子體納米級蝕刻加工技術(shù)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、等離子體加工作為一種納米級超精密加工技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于集成電路和半導(dǎo)體加工領(lǐng)域。目前等離子體加工仍然面臨著等離子體蝕刻速率對加工材料的選擇性，等離子束本身的均勻性及等離子體對加工表面的損傷等技術(shù)難題。
　　本文以不同堆疊材料構(gòu)成的垂直記錄磁極尖為加工對象，以等離子體加工裝置為平臺，建立等離子體濺射的基本模型，研究等離子體對不同磁性材料及非磁性材料去除速率的選擇性和表面粗糙度的影響。分析不同工藝參數(shù)，包括電離氣體、入射角度、射頻功率

2、與去除速率和表面粗糙度之間的關(guān)系以及入射能量對基材表面的損傷程度影響，得到可以形成磁極尖沉降差異的多步加工工藝。
　　使用Ar和O2混合等離子體，當(dāng)入射角度為35°時對AlTiC非磁性材料表面形貌加工效果顯著。低能純Ar等離子體對磁性材料和非磁性材料的去除速率選擇性可以形成極尖沉降差異，當(dāng)入射角度為35°時AlTiC、Al2O3、NiCoFe、NiFe的去除速率比為1：1.6：2.5：2.9。當(dāng)入射角度為70°時，高能純Ar等離子

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