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文檔簡介
1、碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、熱穩(wěn)定性強、熱導率高、載流子飽和速率大、抗輻照性能優(yōu)越等特性。其抗輻照特性優(yōu)于Si，Ge，GaAs等半導體材料；與GaN相比，原子序數和背散射率低，與硅工藝兼容，可以獲得更小的漏電流，這使得SiC成為制作同位素微電池和射線探測器的優(yōu)選材料。
本文首先對PiN核電池進行了結構參數設計，并為了降低金屬對射線的阻擋作用，設計了5種不同形狀的電極結構。然后對4H-SiC PiN同位素微電池的制備工藝
2、進行了研究，通過CVD方法生長外延層結構，利用ICP刻蝕臺面用于器件隔離，選用多層金屬作為歐姆接觸電極。
其次對制作的4H-SiC PiN同位素微電池樣品進行了測試，其p型歐姆接觸比接觸電阻量級達到了10-5Ωcm2，同位素電池有效轉換效率η接近3％，而且放射源活性度越大，電池性能越好。
最后研究了4H-SiCβ射線探測器模型，先利用MATLAB軟件設計集電-基結，然后在半導體模擬軟件ISE-TCAD中設計發(fā)
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