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1、SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD)以其導(dǎo)通電阻低,開關(guān)特性好等優(yōu)勢在功率系統(tǒng)中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
基于高 k介質(zhì)場板終端的4H-SiC SBD的二維仿真,設(shè)計并制備了采用半絕緣多晶硅(SIPOS)作為場板介質(zhì)的4H-SiC場板終端 SBD(FP_SBD)。所制備的1mm24H-SiC SBD比導(dǎo)通電阻為5.87mΩ?cm2,3.6V時電流達到4A。反向擊穿電壓為1200V,達到理論值的70％。實驗結(jié)果證實長度大于20
2、μm的 SIPOS場板終端能較好的發(fā)揮作用。并通過對二次鈍化前后的器件擊穿電壓進行測試說明聚酰亞胺(PI)能夠有效的提高器件的擊穿電壓。
設(shè)計了帶有 JTE終端的4H-SiC SBD器件。從仿真角度說明減少離子注入次數(shù)(最少為一次注入)可以與多次離子注入(形成類似盒狀分布)達到同樣的效果,并且可以有效減小注入損傷,降低擊穿電壓對注入濃度的敏感度和降低注入能量。根據(jù)仿真結(jié)果制定了4H-SiC JTE SBD的實驗方案,設(shè)計了實驗
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