射頻半導(dǎo)體器件的電熱特性分析.pdf

1、現(xiàn)今集成電路的功能越來(lái)越強(qiáng)大，這必將使電路熱問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。我們知道半導(dǎo)體器件帶來(lái)的熱是集成電路產(chǎn)生熱的重要來(lái)源。如果我們能夠分析清楚半導(dǎo)體器件的電熱效應(yīng)，我們就能夠?qū)呻娐愤M(jìn)行整體建模，仿真出它的電熱特性。從而找出熱問(wèn)題對(duì)于電路電性能的影響規(guī)律，我們就能夠在仿真階段完成對(duì)電路性能的的預(yù)估。這種預(yù)估是非理想情況下的預(yù)估，考慮了溫度場(chǎng)對(duì)電路性能的影響，使得我們對(duì)于電路系統(tǒng)的仿真更具有實(shí)際意義。文章主要章節(jié)就是在分析半導(dǎo)體器件的電熱問(wèn)題。

2、
　　 我們采用的主要分析方法是時(shí)域譜元法(SETD)，SETD也是一種時(shí)域有限元方法，主要的不同之處在于選取的基函數(shù)。本論文主要利用時(shí)域譜元法，對(duì)半導(dǎo)體器件的電熱模型進(jìn)行了研究。
　　 本文首先詳細(xì)介紹了譜元法的基本理論，推導(dǎo)了電磁場(chǎng)的矢量波動(dòng)方程和熱傳導(dǎo)方程的時(shí)域譜元法的差分形式。接著主要分析了高功率作用下PIN二極管的熱二次效應(yīng)，討論了不同脈沖寬度，功率，占空比對(duì)二極管的損傷程度的關(guān)系。然后仿真了射頻CMOS管三維