GLSI多層銅布線CMP后清洗銅氧化物的去除研究.pdf

1、隨著微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，器件特征尺寸越來越小。生產(chǎn)過程中的各種污染對(duì)元器件的性能及可靠性的危害也日益突出，所以對(duì)材料表面的清潔度要求更加嚴(yán)格，因此對(duì)對(duì)微電子清洗領(lǐng)域的研究，具有很重要的意義。
　　本文詳細(xì)分析了在GLSI多層銅布線片CMP過程中銅氧化物顆粒的形成機(jī)理以及存在狀態(tài)，分析了螯合劑和表面活性劑在銅氧化物顆粒去除方面的作用。利用自主配制的主要成分為螯合劑和表面活性劑的清洗劑結(jié)合PVA刷洗法對(duì)去除CMP后Cu表面銅氧化物顆

2、粒具有良好的效果。通過AFM檢測，分析了FA/OII型螯合劑結(jié)合刷洗工藝對(duì)于表面粗糙度的影響，并采用臺(tái)階儀對(duì)不同濃度的FA/OII型螯合劑對(duì)Cu的靜態(tài)腐蝕速率進(jìn)行了測試，探求清洗劑中螯合劑的合適的濃度，以免在清洗過程中由于FA/OII型螯合劑濃度過大造成粗糙度過大及銅線條的損失。
　　結(jié)合超聲或 PVA刷洗的方法分別對(duì)銅光片和銅布線片進(jìn)行清洗，利用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡（SEM）對(duì)銅表面清洗前后的形貌進(jìn)行對(duì)比，發(fā)現(xiàn)自主配制的該