銅鈦氧化物的燒結特性及介電性能研究.pdf

1、該論文主要采用固體粉末高溫燒結法研究了CaCu<,3>Ti,,4>O<,12>陶瓷(CCTO)合成與燒結的過程以及燒結對介電性能的影響;還研究了Na<'+>、La<'3+>、K<'+>、Co<'3+>、Nb<'5+>、Sr<'2+>和Cu<'2+>離子摻雜對材料介電性能的影響.合成時間和合成溫度都對反應進程有影響,但合成溫度起著決定性的作用.在兩次合成中間加入球磨也會促進反應進行.所以在該次實驗中采用在800℃與1000℃兩次合成中間加

2、一次球磨的方法合成CCTO.燒結溫度過高或過低會使材料中存在氣孔,導致介電性能下降.在CaCu<,3 (1+x)>Ti<,4>O<,12>陶瓷材料中,1080℃燒結的試樣性能最好.損耗基本上隨著Cu過量濃度的增加而下降,當Cu過量濃度達到0.08mol時損耗最低為5-6％(1kHz).在A<,x>Ca<,(1-x)>Cu<,3>TiO<,12>(A=Na<'+>、K<'+>)陶瓷材料中,A<'+>離子的添加使CCTO材料的燒結溫度提高了

3、,其介電常數也有所提高,材料的損耗減小,同時使得電容變化率增大,在規(guī)定溫度范圍內介電性能變差.在La<,x>Ca<,(1-x)>Cu<,3>Ti<,4>O<,12>陶瓷材料中,La<'3+>離子取代會使材料損耗增加,而材料的介電常數和損耗隨溫度變化有減緩的趨勢.在CaCu<,3>Ti<,4(1-x)>Co<,4x>O<,12>陶瓷材料中,摻雜后的損耗比摻雜前高很多,雖然介電系數很高但是這可能是損耗引起的.所以Co摻雜后的CCTO的介電性

4、能不好.在CaCu<,3>Ti<,4(1-x)>Nb<,4x>O<,12>陶瓷材料中,隨著燒結溫度的升高材料的介電常數和損耗都急劇下降,介電系數可達3-4千但損耗仍高達10％左右.在Na<,x>Ca<,(1-x)>Cu<,3.08>Ti<,4>O<,12>陶瓷材料中,隨著燒結溫度的升高材料的介電系數下降損耗上升介電性能變壞,隨著摻雜濃度的增加介電系數和損耗下降介電系數為2萬左右損耗為5-6％,這樣的性能相對Na<'+>離子單獨摻雜來說較