功率半導體器件失效模型多物理場仿真分析.pdf

1、功率半導體器件是進行電能（功率）處理的半導體產品，是弱電控制與強電運行間的橋梁。隨著綠色環(huán)保意識在國際間的確立與推進，功率半導體的應用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C產業(yè)（計算機、通信、消費類電子產品和汽車），擴展到新能源（風電、太陽能）、軌道交通、智能電網等新領域。隨著對功率器件需求的不斷擴大，對功率器件的失效分析和可靠性研究需要更加深入和廣泛的研究。
　　在功率半導體器件知識的基礎上，并且結合對于PT-IGBT的認識，本文從固態(tài)半

2、導體載流子運動的理論出發(fā)，借助外文文獻中關于Si半導體材料特性的實驗數(shù)據(jù)結果提出合理失效機理假設。
　　主要工作包括對外文文獻中的材料參數(shù)的數(shù)據(jù)處理選擇合理的遷移率模型;通過多物理場建模仿真雙極型晶體管BJT及單極型器件MOSFET的導通伏安特性曲線，幫助分析PT-IGBT在導通狀態(tài)下的溫度特性;對PT-IGBT的多元胞并聯(lián)可能發(fā)生的失效機理進行驗證和闡述;建立IGBT動態(tài)關斷瞬時失效模型，仿真有源區(qū)內部材料參數(shù)變化缺陷對擊穿電壓