高精度片上電源的研究與實現(xiàn).pdf

1、21世紀，科技日新月異，整個信息產(chǎn)業(yè)和半導體工業(yè)相互促進，迅猛發(fā)展。人們對大數(shù)據(jù)處理的日益渴望及對如智能手機、平板電腦的依賴，對集成電路的速度、功耗都提出了更高的要求。納米工藝的普及和進一步發(fā)展成為大勢所趨，芯片面積和成本的考慮使得片上系統(tǒng)仍將在可以預見的未來主導模擬集成電路的方向。電源電壓的降低，電路速度的提高都對模擬電路的電源電路和基準電路提出了更高的苛刻要求。本文正是基于如何實現(xiàn)完全集成于片內(nèi)的適應(yīng)于高精度模擬集成電路電源和基準這

2、一研究熱點，展開分析、探討，并最終在高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器和智能溫度傳感器這兩個不同類型的電路中進行了芯片實現(xiàn)。
　　本文對幾種常用的帶運放的帶隙基準源進行了詳盡分析，對它們的性能從溫漂、失調(diào)、環(huán)路穩(wěn)定性、噪聲、電源抑制比、啟動等多個方面進行了比較。同時亦對無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器進行了較為詳盡的論述，對其各項指標進行分析和理論推導。在具體的設(shè)計中，結(jié)合不同系統(tǒng)對電路性能要求的側(cè)重點，選取優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)，并最終都進行了流片。本文的