光纖原料高純四氯化硅精制工藝研究.pdf

1、針對目前國內多晶硅行業(yè)內普遍存在的副產物四氯化硅處理難題，本文提出了使用副產物四氯化硅精制提純，制備高純四氯化硅作為光纖原料的工藝過程，并使用Aspen Plus軟件通過流程模擬、設計優(yōu)化和流程改進，達到了理想的效果。本文的主要研究工作和結果如下：
　?。?）從多晶硅副產物冷氫化高沸物出發(fā)，以光纖原料品質需求為目標，設計模擬了精餾法精制高純四氯化硅的工藝流程，談論相關設計和操作參數對工藝的影響，包括塔板數、回流比數、進料位置等，確

2、定了最佳的工藝條件，通過模擬該工藝產品四氯化硅純度達到99.99999％以上，滿足光纖原料品質要求。
　?。?）在原有設計工藝流程上，使用差壓熱耦合節(jié)能技術對原工藝進行改進，對比了差壓熱耦合技術精制四氯化硅工藝和原有工藝，結果表明使用差壓熱耦合能夠在獲得更高產品品質基礎上降低能耗40%以上，同時還節(jié)省了設備投資，具有很高的應用前景。
　?。?）提出了將隔壁精餾技術應用在精制高純四氯化硅過程中，運用Aspen Plus軟件使用

3、對工藝進行了模擬和優(yōu)化。優(yōu)化為：全塔高度150塊理論板，預分離段高度119塊理論板，公共精餾段高度20塊理論板，公共提餾段高度11塊理論板，進料位置為第69塊塔板，采出位置為第80塊塔板，液相分配比為1.8，氣相分配比為0.7。結果表明隔壁精餾塔工藝產品純度優(yōu)于原工藝，并且節(jié)約能耗20%以上，還能大大降低設備投資，具有高效節(jié)能的優(yōu)點
　?。?）對吸附法精制四氯化硅工藝進行了探索性研究，研究了四氯化硅中硼雜質的吸附除雜過程，討論了吸