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1、高純?nèi)然鹬饕糜贗C制造工藝中技術(shù)要求很高、對(duì)電路成品率影響很大的化學(xué)氣相淀積（CVD）成膜過程以及等離子干法刻蝕過程，會(huì)對(duì)IC產(chǎn)品的品質(zhì)帶來很關(guān)鍵的作用，且不可以其他電子氣體代替。它的雜質(zhì)含量和純度直接影響IC、電子元器件的質(zhì)量、性能、技術(shù)指標(biāo)和成品率。為保證軍用IC產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，對(duì)工藝配套原料氣提出很高的要求，要求三氯化硼純度必須在99.999％（5N）以上。5N以上的高純?nèi)然饑鴥?nèi)尚不能生產(chǎn)，該級(jí)別產(chǎn)品完全依靠從美國、

2、英國、日本等國外幾家大公司進(jìn)口。
　　本文主要采用粗制三氯化硼為原料，經(jīng)過高壓常溫吸收和低溫冷卻抽空相聯(lián)合的方式，深層次的除掉三氯化硼中的所有雜質(zhì)，生產(chǎn)出純度為99.999%的三氯化硼產(chǎn)品。創(chuàng)建一套多單元聯(lián)合的深層次提純工藝系統(tǒng)，展開高純度三氯化硼有害雜質(zhì)氣體剖析測(cè)試方式探究，而探究改性吸附劑對(duì)該種物質(zhì)吸附特性的作用，得到了下面這些結(jié)果：⑴選擇多單元聯(lián)合式深層次提純以及低溫冷凝抽空相聯(lián)合的方式，用自制的KY-05分子篩，深度脫除三

3、氯化硼中的很多有害的雜質(zhì)，提純之后的三氯化硼中所有有害物質(zhì)符合對(duì)應(yīng)的要求，純度高達(dá)99.999%。⑵按照5N三氯化硼中一些雜質(zhì)的檢驗(yàn)要求，構(gòu)建了一套三氯化硼所有雜質(zhì)的剖析檢測(cè)方式。⑶在超臨界氣化除去三氯化硼中2O2、N雜質(zhì)的試驗(yàn)中，結(jié)果顯示冷凝抽空次數(shù)對(duì)氧、氮雜質(zhì)的除去的作用比較顯著，獲得純度高的三氯化硼最佳冷凝抽空次數(shù)為4次。⑷探討了氣體流速對(duì)吸附性能的作用，結(jié)果顯示，在三氯化硼流速小于3L/min時(shí)，吸附劑對(duì)三氯化硼CO、CO2、T