高純?nèi)谆X中痕量氧雜質(zhì)的NMR定量研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩49頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、三甲基鋁是一種高純金屬有機(jī)化合物(簡(jiǎn)稱MO源)。是制造高亮度發(fā)光二級(jí)管(LED)、新一代太陽(yáng)能電池、相變存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料之一。在半導(dǎo)體照明、信息通訊、航天等領(lǐng)域都有著重要應(yīng)用。還在“神州”飛船,“東4”大衛(wèi)星平臺(tái)系列衛(wèi)星等航天器的太陽(yáng)能電池上成功運(yùn)用,徹底打破了國(guó)外在這一重要國(guó)防科技領(lǐng)域?qū)ξ覈?guó)的封鎖。研究表明,三甲基鋁MO源品質(zhì)純度要求非常高,其中的痕量雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體材料的電學(xué)、光學(xué)性能有著至關(guān)重要的影

2、響,一旦達(dá)不到要求,則會(huì)對(duì)下游外延片生長(zhǎng)帶來(lái)致命的缺陷。因此,MO源三甲基鋁中的痕量雜質(zhì)分析是一個(gè)重要的研究課題。近年來(lái),隨著LED爆發(fā)式的發(fā)展,MO源需求不斷增加,我國(guó)實(shí)現(xiàn)MO源國(guó)產(chǎn)化對(duì)發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、提高國(guó)防實(shí)力、推動(dòng)我國(guó)光電子及微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義。
  三甲基鋁中的雜質(zhì)分為無(wú)機(jī)雜質(zhì)和有機(jī)雜質(zhì),分別采用不同的分析儀器進(jìn)行測(cè)量。電感耦合等離子體院子原子發(fā)射光譜(ICP-OES),給無(wú)機(jī)痕量雜質(zhì)分析提供了快速有效的分析

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論