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文檔簡介
1、隨著磁記錄密度的提高,硬盤磁頭的飛高也越來越低。由于頭盤間距進(jìn)入了納米尺度,磁頭盤片系統(tǒng)間相互作用的傳統(tǒng)分析模型已經(jīng)失效,從而對超低飛高條件下的頭盤系統(tǒng)分析和實(shí)現(xiàn)技術(shù)帶來了挑戰(zhàn)。因?yàn)榧词故羌{米尺度的飛高損失也會對磁頭盤片系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性產(chǎn)生重大影響,它可能會促使滑塊和盤片接觸,從而造成磁頭讀寫失敗和數(shù)據(jù)損失,影響磁頭讀寫速度和精度。
在磁頭的寫操作過程中,寫線圈通電產(chǎn)生的熱量及周圍環(huán)境的熱量會引起讀寫磁頭的熱膨脹,進(jìn)而
2、影響到頭盤界面中讀寫磁頭和盤片之間的距離。而讀操作是通過磁阻效應(yīng)讀取數(shù)據(jù),不需要額外加電,不會引起磁頭的熱膨脹。為避免在寫操作過程中發(fā)生頭盤界面的碰撞,磁頭在讀操作過程中就必須維持一個充足的裕量,要飛的更高一點(diǎn),這是當(dāng)前影響飛高進(jìn)一步降低的最大障礙。為解決這個問題,減少飛高損失,提出了一種飛高控制技術(shù),即熱飛高控制滑塊。
從熱飛高控制滑塊的基本結(jié)構(gòu)出發(fā),結(jié)合磁頭盤片界面結(jié)構(gòu),具體分析了微加熱器對熱飛高控制滑塊穩(wěn)定性的影響。
3、給出了熱飛高控制滑塊的有限元模型及仿真結(jié)構(gòu),系統(tǒng)論述了影響整個頭盤系統(tǒng)穩(wěn)定性的各種因素,如微加熱器的大小、微加熱器的加熱線圈的輸入電流,微加熱器與空氣軸承表面的距離等。對各種不同的影響因素作了具體分析,在仿真的基礎(chǔ)上分析了這些因素對整個頭盤系統(tǒng)的影響,并對微加熱器的加熱線圈進(jìn)行了研究。
通過系統(tǒng)仿真,結(jié)果表明:增加微加熱器的輸入電流可以帶來更好的加熱性能,降低飛高,但熱響應(yīng)時間卻并沒有明顯的降低;減小微加熱器與空氣軸承表面
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