已閱讀1頁，還剩73頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、在該論文中,我們利用磁控濺射的Al<,2>O<,3>作為緩沖層在Si(111)襯底上制備GaN膜,這首先可以解決以上提到的三個困難;另外,在硅與GaN之間引入一層α-Al<,2>O<,3>絕緣層對于實現(xiàn)硅-絕緣體技術(shù)和三維集成電路有很重要的意義,同時此法所用Al<,2>O<,3>量少,解決了成本高的問題;該文詳細(xì)敘述了薄膜的制備過程,探索了薄膜的制備條件和工藝參數(shù)對薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌的影響,并找出了用此方法制備GaN薄膜的最佳生長
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 氨化磁控濺射硅基Ga-,2-O-,3--Cr薄膜制備GaN納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 硅基擴(kuò)鎵濺射Ga-,2-O-,3-反應(yīng)自組裝和熱壁化學(xué)氣相沉積制備GaN薄膜的研究.pdf
- 氨化Si基Ga-,2-O-,3--Mo薄膜制備一維GaN和Ga-,2-O-,3-納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 氨化磁控濺射Ga-,2-O-,3--Tb薄膜制備GaN納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 氨化硅基磁控濺射Ga-,2-O-,3--Co薄膜制備GaN納米結(jié)構(gòu)和薄膜的研究.pdf
- 氨化Si基Ga-,2-O-,3--Ti和Ga-,2-O-,3--TiO-,2-薄膜制備一維GaN納米結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 溶膠-凝膠法制備Ga-,2-O-,3-反應(yīng)自組形成GaN顆粒的研究.pdf
- Si基磁控濺射Ga-,2-O-,3--Al膜制備GaN—維納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 氨化Si基Ga-,2-O-,3--Ta薄膜制備一維GaN納米結(jié)構(gòu)研究.pdf
- Ga-,2-O-,3-氮化法合成GaN粉體和薄膜的研究.pdf
- Si基濺射Nb-Ga-,2-O-,3-氨化制備GaN納米材料的研究.pdf
- Ga-,2-O-,3-薄膜的制備及特性研究.pdf
- ZnO薄膜的制備及氨化Ga-,2-O-,3--ZnO薄膜合成一維GaN納米結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備ZrW-,2-O-,8-、Al-,2-O-,3-及其復(fù)合薄膜的研究.pdf
- 射頻反應(yīng)磁控濺射法制備Al-,2-O-,3-薄膜結(jié)構(gòu)與性能的研究.pdf
- 納米半導(dǎo)體材料Ga-,2-O-,3-和GaN的制備、結(jié)構(gòu)表征和性能研究.pdf
- 磁控濺射鍍制Al-,2-O-,3-薄膜及其應(yīng)用.pdf
- 射頻磁控反應(yīng)濺射法制備Y-,2-O-,3-薄膜的研究.pdf
- Ga-,2-O-,3--Mn電致發(fā)光薄膜的制備及其特性研究.pdf
- 磁控濺射法制備Si摻雜ZnO薄膜及Al-,2-O-,3-包埋Si納米晶薄膜.pdf
評論
0/150
提交評論