GeS-,2-基硫系玻璃陶瓷的微晶化機(jī)理、可控制備及其性能研究.pdf

1、本文系統(tǒng)研究了GeS2及其準(zhǔn)二元與三元體系玻璃陶瓷的微晶化機(jī)理、可控制備和性能?；谠撓到y(tǒng)硫系玻璃可控微晶化機(jī)理的探索，制備了具有多種功能（如激光頻率轉(zhuǎn)換、固態(tài)電解質(zhì)、多光譜（可見和紅外）成像、稀土離子發(fā)光增強(qiáng)等）的硫系玻璃陶瓷復(fù)合材料。主要結(jié)果與結(jié)論如下：
　　 1.基于Ge-S二元相圖和熱學(xué)性能分析，在GeS2玻璃中制得了僅析出紅外倍頻晶相β-GeS2、具有持久紅外倍頻功能的硫系玻璃陶瓷，最大有效二階非線性極化系數(shù)達(dá)7.3

2、pm/V。
　　 2.引入Ga2S3可改變GeS2基玻璃的析晶行為，通過確定準(zhǔn)核化速率曲線，達(dá)到可控的核化和晶體生長(zhǎng)，并由90GeS2·10Ga2S3玻璃制得了僅有GeS2相析出的體析晶透紅外玻璃陶瓷，由80GeS2·20Ga2S3玻璃制得了僅析出Ga2S3晶相的納米晶玻璃陶瓷。研究表明，GeS2-Ga2S3準(zhǔn)二元體系玻璃的相變行為隨Ga2S3量的增加而變化。在相變行為深入研究的基礎(chǔ)上，建立了一個(gè)GeS2-Ga2S3玻璃的網(wǎng)絡(luò)結(jié)

3、構(gòu)模型。
　　 3.對(duì)GeS2-Ga2S3-MX（Ag2S、LiI或CsCl）準(zhǔn)三元體系的微晶化機(jī)理進(jìn)行了系統(tǒng)研究。引入Ag2S，由70GeS2·15Ga2S3·15Ag2S玻璃獲得了析出優(yōu)異紅外非線性光學(xué)晶體AgGaGeS4的玻璃陶瓷，最大有效二階非線性光學(xué)系數(shù)deff達(dá)5.79 pm/V，與采用極化手段得到的結(jié)果相近；引入LiI，由65GeS2·25Ga2S3·10LiI玻璃制得了性能可控的透紅外納米晶玻璃陶瓷，相比于基礎(chǔ)玻