鍺納米晶顆粒的透射電子顯微學(xué)研究.pdf

1、本論文主要利用透射電子顯微學(xué)對(duì)鍺納米顆粒的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。主要圍繞不同制備條件（離子注入劑量、后續(xù)退火溫度、退火時(shí)間）下生成鍺納米晶的微觀結(jié)構(gòu)和缺陷結(jié)構(gòu)開展研究。
　　本論文主要分為兩部分。
　　第一部分:利用高分辨透射電子顯微學(xué)、選區(qū)電子衍射和電子能量損失譜來研究不同離子注入劑量生成鍺納米晶顆粒的分布、尺寸大小、缺陷類型及其分布。主要結(jié)論如下:
　　1.隨著離子注入劑量的增加，鍺納米晶顆粒的尺寸變大，且納米晶的起

2、始深度隨著劑量的增加而變淺，而終止深度沒有明顯的變化。
　　2.離子注入劑量較小時(shí)，晶粒尺寸大小均一，分布均勻。隨著注入劑量的增加，晶粒尺寸不再均一，呈高斯分布。當(dāng)離子劑量高達(dá)一定值域時(shí)，晶體層中間部分和尾部的晶粒尺寸均一，都比較大，起始位置尺寸較小。
　　3.鍺納米晶粒中發(fā)現(xiàn)線缺陷和面缺陷的存在。孿晶是晶粒中最常見的一種面缺陷。包含孿晶的晶粒占完整晶粒的比例隨離子注入劑量的增加而增加。除了孿晶之外，在劑量較高的樣品中，發(fā)現(xiàn)

3、了層錯(cuò)和位錯(cuò)的存在。
　　第二部分:利用高分辨透射電子顯微學(xué)、選區(qū)電子衍射和XRD研究了不同退火溫度和不同退火時(shí)間生成的鍺納米晶顆粒的分布、尺寸大小等微觀結(jié)構(gòu)，以及缺陷的分布和鍺納米晶的生長(zhǎng)機(jī)理。主要結(jié)論如下:
　　1.隨著退火溫度的增加，鍺納米晶顆粒的尺寸持續(xù)增大，納米晶的數(shù)目一開始也會(huì)增大，但是退火溫度達(dá)到900℃時(shí)，鍺納米晶顆粒的數(shù)目會(huì)減少。
　　2.隨著退火時(shí)間的增加，鍺納米晶顆粒的尺寸增大。沒有熱退火處理的樣