版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、KF-AlF3熔鹽體系具有Al2O3溶解度大、初晶溫度低等優(yōu)點(diǎn),是一種很有應(yīng)用前景的電解鋁低溫電解質(zhì)體系。然而目前對該電解質(zhì)的研究僅集中在物化性質(zhì)以及對惰性陽極的腐蝕兩個(gè)方面,在該電解質(zhì)對電解槽陰極的滲透和腐蝕方面的研究還很少涉及。由于陰極滲透對電解槽壽命有極其重要的影響,因此非常有必要加強(qiáng)KF-AlF3體系對陰極材料滲透方面的研究。
本文首先通過循環(huán)伏安、電勢階躍、開路電勢和電流階躍等電化學(xué)方法對鉀與石墨在KF熔鹽中的電
2、化學(xué)插層反應(yīng)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明石翠電極在陰極極化過程中鉀與電極基體發(fā)生了電化學(xué)插層反應(yīng),插層反應(yīng)產(chǎn)物為高階鉀-石墨插層化合物,且該產(chǎn)物非常不穩(wěn)定,分解非常迅速。插層反應(yīng)導(dǎo)致石墨晶格膨脹,部分石墨薄片和石墨晶粒從基體剝離,從而使石墨基體被嚴(yán)重腐蝕,石墨晶體結(jié)構(gòu)受到破壞。當(dāng)電解過程中通過的電量較大時(shí),石墨基體完全破裂。從理論上推導(dǎo)了KF熔鹽中鉀與石墨插層反應(yīng)在可逆和準(zhǔn)可逆兩種情況下對電勢階躍的響應(yīng)電流方程。電勢階躍實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)電流-時(shí)間瞬
3、態(tài)曲線在整個(gè)階躍時(shí)間域內(nèi)部偏離了Cottrellian行為,但能用準(zhǔn)可逆過程的電流方程進(jìn)行良好擬合,表明KF熔鹽中鉀與石墨的插層反應(yīng)由擴(kuò)散和動(dòng)力學(xué)因素共同控制。
通過循環(huán)伏安、電勢階躍和電流階躍等電化學(xué)方法對鉀與石墨在低分子比KF-AlF3熔鹽中的陰極行為進(jìn)行了研究。750℃下在分子比為1.3的KF-AlF3熔鹽中,鋁在石墨表面的電沉積電勢比鉀與石墨插層反應(yīng)的起始電勢正0.35V左右。鉀與石墨的插層反應(yīng)不僅能導(dǎo)致石墨基體的
4、破損,還能加速碳化鋁的生成,從而降低電流效率。KF-AlF3熔鹽中鋁在石墨電極上的電沉積過程為擴(kuò)散控制過程。取樣電流伏安法表明在0.1到0.03 V電勢范圍內(nèi)鋁電沉積因石墨電極表面的吸附作用受到抑制。發(fā)生鉀插層的臨界陰極電流密度約為400mA/cm2。降低分子比能使鉀插層反應(yīng)的電極電勢向負(fù)方向移動(dòng)并提高發(fā)生鉀插層反應(yīng)的陰極臨界電流密度,但生成碳化鋁的程度也加大。升高溫度能增加鋁電沉積的極限擴(kuò)散電流。加入Al2O3導(dǎo)致了鉀插層反應(yīng)的起始電
5、勢正移,并使鉀插層反應(yīng)的臨界陰極電流密度變小,使鉀插層反應(yīng)更容易發(fā)生,但在一定程度上抑制了碳化鋁的生成。Al2O3含量對AlF4-的擴(kuò)散系數(shù)基本不產(chǎn)生影響。當(dāng)熔中的Al2O3含量較高時(shí),其含量大小對石墨陰極行為的影響不大。
分別以石墨和半石墨質(zhì)炭塊為陰極進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室恒電流電解。研究發(fā)現(xiàn)在相同電解條件下,鉀在石墨電極內(nèi)部的滲透深度遠(yuǎn)大于鈉在石墨內(nèi)部的滲透深度。KF-AlF3-Al2O3熔鹽滲透進(jìn)入石墨陰極中的物相主要有K2.
6、9AlF5.9(H2O)0.1和KAlF4,但在較低分子比的熔鹽中,KAl4F13也滲透進(jìn)入陰極內(nèi)部。電解質(zhì)主要通過陰極中的孔隙網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行滲透,滲透量隨石墨陰極深度的增加而逐漸減小。提高電解質(zhì)的分子比使鉀在石墨陰極中的滲透深度和電解質(zhì)的總滲透量增加。KAlF4在石墨陰極中的滲透量隨分子比的升高而降低,但K2.9AlF5.9(H2O)0.1在陰極中的滲透量隨分子比的升高而增大。隨陰極電流密度的增大,鉀的滲透深度增加,KAlF4在石墨陰極中的
7、滲透量降低,但K2.9AlF5.9(H2O)0.1在陰極中的滲透量增大,且電解質(zhì)總滲透量增大。鉀在石墨陰極中的滲透深度基本上不受電解溫度的影響,但隨電解溫度的升高,KAlF4在石墨陰極中的滲透量略有下降,而K2.9AlF5.9(H2O)0.1的滲透量增大,且電解質(zhì)的總滲透量也增大。
在相同電解條件下,鉀在半石墨質(zhì)陰極內(nèi)部的滲透深度略小于在石墨陰極中的滲透深度,但還是遠(yuǎn)大于鈉在石墨內(nèi)部的滲透深度。KF-AlF3-Al2O3熔
8、鹽滲透入半石墨質(zhì)陰極中的物相與石墨陰極中的滲透物基本相同,主要有KAlF4和K2.gAlF5.9(H2O)0.1,滲透量也隨石墨陰極深度的增加而逐漸減小。在低分子比的熔鹽中,KAl4F13也能滲透進(jìn)入陰極內(nèi)部。提高電解質(zhì)的分子比能使鉀在半石墨質(zhì)陰極中的滲透深度增加。KAlF4在石墨陰極中的滲透量隨分子比的升高而降低,但K2.9AlF5.9(H2O)0.1在陰極中的滲透量隨分子比的升高而增大。隨陰極電流密度的增大,鉀的滲透深度增加,KAl
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 碳電氧化新型低溫催化熔鹽電解質(zhì)的研究.pdf
- NaF-KF-LiF-AlF-,3-系鋁電解質(zhì)熔鹽電導(dǎo)率研究.pdf
- 鋁電解質(zhì)對陰極材料滲透的研究.pdf
- 低溫鋁電解質(zhì)密度及熔鹽電解法制取鋁鉺合金的研究.pdf
- 低溫固體氧化物燃料電池復(fù)合電解質(zhì)和陰極材料的研究.pdf
- 低溫固體氧化物燃料電池復(fù)合電解質(zhì)與新型陰極材料研究.pdf
- 鎂電解質(zhì)熔鹽性質(zhì)測定及多極電解槽試驗(yàn)研究.pdf
- 磷灰石型低溫固體電解質(zhì)材料的研究.pdf
- 電解質(zhì)-熔鹽復(fù)合中空纖維膜的制備與性能研究.pdf
- 三層液熔鹽電解制備太陽級硅用氟化物電解質(zhì)熔體預(yù)電解凈化.pdf
- 解讀電解質(zhì)和非電解質(zhì) 強(qiáng)電解質(zhì)和弱電解質(zhì)
- 電解質(zhì)教案3
- 電解質(zhì)和非電解質(zhì)
- 低溫熔鹽電解制備鋁及合金.pdf
- 鋁電解陰極用炭素的物理磨損及LiF與KF對陰極滲透的影響.pdf
- 水鹽電解質(zhì)平衡紊亂在臨床中的處理
- 惰性陽極在低溫鋁電解質(zhì)中的應(yīng)用研究.pdf
- 液態(tài)陰極稀土熔鹽電解釹工藝設(shè)計(jì)研究.pdf
- 弱電解質(zhì)的電離3
- 中低溫SOFC電解質(zhì)材料合成薄膜制備及性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論