銀納米線的制備、表征及其對TiO2薄膜電池的改性研究.pdf

1、銀作為貴金屬銀的一維納米結(jié)構(gòu)---銀納米線具有較大的比表面積、優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能和定向傳遞光生電子的能力，被廣泛應(yīng)用于電子電路、導(dǎo)漿電料和抗菌材料等方面。本文采用多元醇法制備了銀納米線（Ag NWs）、化學(xué)法制備了Ag/CdS納米復(fù)合材料和漿料涂敷法制備出Ag/TiO2光陽極材料，并對其進(jìn)行了系統(tǒng)的表征和光催化性能、光電性能的測試。得到以下主要研究結(jié)果：
　　1.采用多元醇還原法制備出長徑比約為110，即平均直徑40±10nm，

2、長度5±1μm的銀納米線，并研究了加入的晶種量對銀納米結(jié)構(gòu)的影響，經(jīng)過驗證得到制備銀納米線的最佳參數(shù)：PVP（40000）2g，硝酸銀0.2g，NaCl（0.1M/L）40μl，乙二醇20ml，恒溫油浴2 h，反應(yīng)溫度為165℃。
　　2.采用化學(xué)法制備的Ag/CdS納米復(fù)合材料顯著提高 Ag納米線的光催化性能，這歸因于Ag和CdS之間的協(xié)同效應(yīng)。Ag/CdS的光催化能力與CdS納米顆粒的負(fù)載量以及顆粒在Ag納米線表面的形貌有關(guān)。

3、當(dāng)Cd2+的添加量較少時，CdS納米顆粒的負(fù)載厚度為5-10nm，光催化能力提高較少。當(dāng)CdS納米顆粒負(fù)載厚度為18nm時最佳，Ag/CdS的光催化效率是裸Ag納米線的7倍。當(dāng)CdS納米顆粒在Ag納米線表面大量團(tuán)聚時，會降低材料的光催化性能，這是由于大量的CdS納米顆粒團(tuán)聚之后成為光生電子和空穴的復(fù)合中心，提高了其復(fù)合率。
　　3.采用P25、乙酸、乙基纖維素、松油醇、乙醇和去離子水制備二氧化鈦漿料，然后加入銀納米線制備Ag/Ti