多孔硅的制備及發(fā)光機理的研究.pdf

1、本文主要是針對多孔硅材料發(fā)光效率相對較低和發(fā)光不穩(wěn)定這兩方面的問題,即如何制備出發(fā)光強度高且發(fā)光穩(wěn)定的多孔硅,進行深入的研究。本文采用電化學腐蝕法制備多孔硅,研究制備參數對多孔硅發(fā)光特性的影響,選擇合適的制備參數,使多孔硅發(fā)光強度得以優(yōu)化。在本實驗條件下,當腐蝕液濃度V(HF):V(C2H5OH)=1:1時,我們得到最佳的腐蝕時間為20min,最佳的腐蝕電流密度為50mA/cm2。由于剛制備好的多孔硅在自然放置過程中發(fā)光很不穩(wěn)定,所以我

2、們一般要對制備好的多孔硅進行后處理,來提高其發(fā)光穩(wěn)定性。本文對多孔硅進行兩種簡單的后處理,即陰極還原和酸處理。實驗表明:對多孔硅進行一定時間的陰極還原處理,不僅可以提高多孔硅的發(fā)光強度,而且能改善多孔硅的發(fā)光穩(wěn)定性,其處理后的多孔硅表面均勻性也較好;而對多孔硅進行酸處理,可以實現多孔硅的高效發(fā)光,但處理后的多孔硅發(fā)光穩(wěn)定性仍不夠理想,且多孔硅表面的均勻性也不夠好。兩種后處理方法相比,綜合多孔硅表面均勻性、發(fā)光強度和發(fā)光穩(wěn)定性這三方面的考