多孔硅后處理發(fā)光性能的研究.pdf

1、摘要摘要多 孔硅在全硅光電 子集成有著潛在的 應(yīng) 用前景， 但是要將多 孔硅投入實際使 用，尚 有許多 工作要做， 其中 最重 要的問 題之一 就是 如何解決多 孔硅發(fā)光的不穩(wěn)定性。本文 研究了 不同 后處理對多 孔硅發(fā)光穩(wěn)定性的 影響。 采用電 化學(xué)陽極腐蝕法制備了 不同 條件下的多 孔硅， 通過陰 極還原 和酸 處理兩 種處理方法對多孔硅表面 進行改 性。 根 據(jù)P L 譜的 測試結(jié) 果討論分 析不同 的 條 件對多 孔硅發(fā)光的 影

2、響。借助原子力顯微鏡分析處理對樣品表面形貌和成分的 影響。實驗結(jié)果表明 酸處理對提高多 孔硅的 發(fā)光 效率有顯著的 效果， 并 提出了 其可能的 作用機制. 論文著重對比了 不同 條件下 未處理與陰 極還原處理的多 孔硅樣品的 發(fā)光穩(wěn)定性。 在自 然存放下， 經(jīng)過陰 極 還原處 理的 多孔硅， 發(fā)光峰位 及發(fā)光 強度變化都很小，呈穩(wěn)定 狀態(tài)。 在自 然存放時間 長 達一 年的 樣品， 對多 孔硅的雙峰現(xiàn)象進行了P L 譜測試。 研究了

3、不同的激發(fā)波長對長波峰和短波峰的影響規(guī)律。在自 然存放的緩慢氧化過程中， 氧化過程對未處理的樣品影響強于陰極還原處理的 樣品， 對長波峰的影響強于短波峰， 而隨著激發(fā)波長的減小，短波峰的強度逐漸增強。自 然存放的多孔硅， 在氧化到達到一定的 程度， 短波長( 2 5 0 1 妞 n ) 激發(fā)多 孔硅樣品， 發(fā)光峰 位和強 度不 再改 變。 并綜合實 驗結(jié) 果對多 孔硅的 發(fā)光機制進行了 探討。關(guān)鍵詞:多孔硅;陰極還原;酸處理;發(fā)光機制學(xué)

4、位論文獨創(chuàng)性聲明學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明 所呈交的學(xué)位論文是 本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取 得的研究成果。 據(jù)我所知，除了文中 特別加以 標(biāo)注和致謝的 地方外，論文中 不包含 其 他 人 己 經(jīng) 發(fā) 表 或 撰 寫 過 的 研 究 成 果 ， 也 不 包 含 為 獲 得 j狂 鼓璧 色或 其 他 教 育 機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同 志對本研究所做的 任何 貢 獻 均已 在 論 文 中 作了 明 確的 說明

5、并 表示 謝 意。 ~學(xué) 位 論 文 作 者 簽 名 ( 手 寫 ) 乖 ‘ 簽 字 日 期 : 分 年 、 月 。學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本 學(xué) 位 論 文 作 者 完 全 了 解通遏大乞 有 關(guān) 保 留 、 使 用 學(xué) 位 論 文 的 規(guī) 定 ， 有權(quán)保留并向國 家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和 借 閱。 本 人 授 權(quán) 直星大堂可以 將 學(xué) 位 論 文的 全 部 或 部 分內(nèi) 容編 入 有關(guān) 數(shù) 據(jù)庫進行檢索