4GHz低相噪微波介質(zhì)振蕩器的設(shè)計(jì)與研究.pdf

1、介質(zhì)振蕩器(DRO)具有穩(wěn)定度高、相位噪聲低、頻譜純度好等諸多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于微波振蕩源中。因此，對(duì)DRO進(jìn)行深入的研究與分析，在工程實(shí)踐中具有一定的指導(dǎo)意義。
　　本課題選用雙極晶體管AT-42035設(shè)計(jì)了一個(gè)4GHz低相噪串聯(lián)反饋型介質(zhì)振蕩器(DRO)，將其封裝電路模型代入ADS進(jìn)行仿真計(jì)算，對(duì)電路各參數(shù)對(duì)其相位噪聲特性、頻率穩(wěn)定特性、輸出功率特性的影響進(jìn)行了深入地研究，并對(duì)設(shè)計(jì)的DRO進(jìn)行了加工與測(cè)量。本文具體做的研究工作

2、展開如下:
　　(1)利用CST軟件建立介質(zhì)諧振器與微帶線耦合模型，研究各參數(shù)對(duì)諧振電路的諧振特性的影響。
　　(2)利用具有封裝等效電路模型的雙極晶體管AT-42035設(shè)計(jì)了DRO的負(fù)阻電路部分，并研究了各參數(shù)對(duì)電路負(fù)阻特性的影響。
　　(3)在ADS中分別利用自帶介質(zhì)諧振器模型和CST仿真模型對(duì)DRO的諧振網(wǎng)絡(luò)部分進(jìn)行了設(shè)計(jì)與研究。
　　(4)設(shè)計(jì)了一個(gè)串聯(lián)反饋型DRO，并對(duì)電路各參數(shù)對(duì)其相位噪聲特性、頻率穩(wěn)

3、定特性以及輸出功率特性的影響進(jìn)行了深入地研究。
　　(5)制作了一個(gè)DRO電路并進(jìn)行調(diào)試與測(cè)量，對(duì)調(diào)試方法進(jìn)行總結(jié)，并將實(shí)際測(cè)量結(jié)果與ADS的仿真結(jié)果進(jìn)行綜合比較分析，最終研制出符合指標(biāo)要求的4GHz低相噪微波介質(zhì)振蕩器。
　　本課題最終研制出了振蕩頻率為4GHz的DRO，其相位噪聲為:-106.51dBc/Hz 10kHz，-123.86dBc/Hz 100kHz，-148.0dBc/Hz 1MHz，具有較低的相位噪聲。本