SiC固定模擬放射性石墨的研究.pdf

1、本論文用石墨來(lái)模擬放射性石墨，以硅和石墨為原料，通過(guò)固相反應(yīng)合成SiC粉體，采用反應(yīng)熱壓燒結(jié)技術(shù)制備SiC固化體，利用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電子能譜(EDS)、比表面積(BET)、激光粒度分布等分析手段，研究了煅燒溫度、球磨時(shí)間、保溫時(shí)間、SiC晶種劑等因素對(duì)SiC粉體合成的影響，以及燒結(jié)溫度、坯體致密程度、加壓制度、保溫加壓時(shí)間等因素對(duì)SiC固化體燒結(jié)的影響，探討固相反應(yīng)合成SiC的反應(yīng)機(jī)理。
　　結(jié)果

2、表明:硅-碳直接反應(yīng)合成SiC為硅和碳的相互擴(kuò)散及硅的蒸發(fā)-擴(kuò)散控制的非均相固相反應(yīng)，硅的蒸發(fā)-擴(kuò)散對(duì)合成SiC的反應(yīng)速率有較大影響;燒結(jié)過(guò)程中較高致密度的坯體，合成SiC的反應(yīng)速率較低;硅顆粒表面的第二相（如SiO2）會(huì)嚴(yán)重影響硅和碳的相互擴(kuò)散，降低反應(yīng)速率;硅和石墨的顆粒大小會(huì)影響SiC晶粒的大小，原料顆粒越細(xì)，合成SiC的晶粒越小;摻入SiC晶種劑，對(duì)SiC的合成反應(yīng)沒(méi)有明顯影響;硅和石墨完全反應(yīng)生成SiC粉體的較佳煅燒條件為13