太陽(yáng)電池用氮化硅薄膜及氫鈍化研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文在系統(tǒng)綜述當(dāng)前太陽(yáng)電池用氮化硅薄膜研究進(jìn)展、前景和面臨的問(wèn)題的基礎(chǔ)上,應(yīng)用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng),以硅烷和氨氣為氣源制備了同時(shí)具有鈍化作用和減反射作用的氮化硅薄膜;摸索了氮化硅薄膜相對(duì)最佳生長(zhǎng)參數(shù);研究了PECVD生長(zhǎng)的氮化硅薄膜的基本物理化學(xué)性質(zhì)以及在沉積的過(guò)程中,襯底溫度、硅烷氨氣流量比和射頻功率對(duì)薄膜折射率和生長(zhǎng)速率的影響;分別探明了氫等離子體和富氫氮化硅薄膜對(duì)太陽(yáng)電池材料和器件性能的鈍化作用,并就沉積薄膜

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