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1、該文研究了氮化硅薄膜的性能、磷鋁吸雜對于多晶硅太陽電池的影響.首先,該文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備了氮化硅薄膜.利用橢圓偏振儀、準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法(QSSPCD)、X射線光電子能譜(XPS)、紅外吸收光譜(IR)、反射譜等手段,對氮化硅薄膜進(jìn)行了深入的研究,優(yōu)化了薄膜制備條件并采用最優(yōu)沉積條件制備了多晶硅太陽電池.研究發(fā)現(xiàn),最佳的沉積條件是:溫度360℃,SiH4:NH3=5:1,時間5.5min.對于退火的研究表明
2、,氮化硅薄膜的有效少數(shù)載流子壽命在700℃時達(dá)到最大值.通過測量紅外吸收光譜,發(fā)現(xiàn)氮化硅薄膜的氫含量與有效少數(shù)載流子壽命有一定的關(guān)系;比較了沉積前后電池的各項性能,確認(rèn)沉積氮化硅薄膜后電池效率提高了40％以上,電池的短路電流也提高了30％以上.其次,研究了磷鋁吸雜對于多晶硅的影響并在此基礎(chǔ)上制備了多晶硅太陽電池.發(fā)現(xiàn)濃磷擴(kuò)散吸雜,鋁吸雜,磷鋁聯(lián)合吸雜(雙面蒸鋁)對于硅片的有效少數(shù)載流子壽命都有提高,其中磷鋁聯(lián)合吸雜對有效少數(shù)載流子壽命提
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