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1、IIABSTRACTMagronsputteringdepositionistheonekeywayofallmethod.Itiswidelyusedinmicroelectronicsopticalcoatingssurfacetreatmentareas.Ithasmeobviousadvantageinlargeareacoatingparticularly.Thesputteringdepositionratetargetut
2、ilizationaremeconcernedduringtheproductionprocess.Ithasadecisiveinfluenceonarrangementofthedesignedmagicthetarget.Sothetargetthemagicfieldmustbeoptimizedfthisreason.Thedevelopmentprocessofsputteringisintroducedinthesecon
3、dchapter.Awayofresolvingproblemswhichwefacehasbeenfended.Itprovidesatheeticalbasisftheanalysissolvingcurrentproblems.Thetheyofglowdisgevoltageacteristicsthevoltampereactercurveareintroducedinthethirdchapterwhichmarkedusd
4、eeplyunderstingofthedisgeacteristics.Ffurtherindepthunderstingknowledgetheyofsputteringinelectromagicfieldthecollisionthey.Themovementdistributionofgedparticlesaredetailedinthemovement.Therelationisintroducedbetweentheen
5、ergythesputteringyieldinthesputteringyield.Theempiricalfmulaofsputteringyieldfcalculatingtheutilizationratiooftargethasbeenprovidedthetheeticalsuppt.Withthegrowthofenergythesputteringyieldisincreasedatfirstdecreasedlater
6、duringtheprocess.Factsofthedepositionfilmaregivenitprovidesatheeticalguidanceftheproductionofhighqualitydepositionrate.Therequirementofthefilmissatisfiedwithhardnessthicknessstructurecompositionbyadjustingtheoptimization
7、oftestparameters.Theanalysisresearchabouttargetmagicfieldofthemagronsputteringisinthefourthchapter.Themagicfieldnotonlyaffectsthedisgeacteristicsplasmadistributioncathodesputteringtargetoftheetchingratebutalsoseriouslyre
8、strictedthetargetlifetargetutilizationatthesametimeaffectthestabilityoftheexperimentrepeatabilityduringsputtering.Thetheiesoftargetsurfacemagicfielddistributionstructuraldesigndesignprincipleshavebeenresearchedwhichprovi
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