硅微傳感器耐高溫技術(shù)研究.pdf

1、集成電路及微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)的高速發(fā)展,極大地促進(jìn)了硅微傳感器的應(yīng)用。本文對(duì)MEMS高溫壓力傳感器進(jìn)行了研究,根據(jù)SOI壓力傳感器的工作原理和結(jié)構(gòu)特性,設(shè)計(jì)了SOI高溫壓力傳感器芯片,通過(guò)有限元軟件進(jìn)行仿真模擬。模擬結(jié)果符合研究目標(biāo)要求,同時(shí)對(duì)本文設(shè)計(jì)的傳感器的結(jié)構(gòu)尺寸、制作工藝、封裝結(jié)構(gòu)和測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析討論。
　　SOI壓力傳感器采用硅壓阻效應(yīng)工作原理,SOI壓力芯片是采用硅微壓阻式原理所研制的,基片選擇采用由

2、SIMOX工藝制成的SOI結(jié)構(gòu)。利用半導(dǎo)體微機(jī)械加工制成硅應(yīng)變電阻構(gòu)成惠斯通電橋的力敏元件;在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,采用芯片背面感壓形式,芯片正面與玻璃基座靜電封接,并在玻璃基座上利用微加工的方法制作外引線封裝孔和參考?jí)毫η唤Y(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)無(wú)引線封裝,增強(qiáng)壓力傳感器的耐高溫性能。通過(guò)溫度補(bǔ)償及電路調(diào)節(jié),傳感器輸出標(biāo)準(zhǔn)電壓信號(hào)。產(chǎn)品性能檢測(cè)及環(huán)境測(cè)試結(jié)果表明,該傳感器性能穩(wěn)定,耐外界惡劣環(huán)境的能力強(qiáng)、可靠性高。
　　實(shí)際產(chǎn)品測(cè)試結(jié)果表明,SOI高溫