硅微傳感器耐高溫技術(shù)研究.pdf

1、集成電路及微電子機械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)的高速發(fā)展,極大地促進了硅微傳感器的應用。本文對MEMS高溫壓力傳感器進行了研究,根據(jù)SOI壓力傳感器的工作原理和結(jié)構(gòu)特性,設計了SOI高溫壓力傳感器芯片,通過有限元軟件進行仿真模擬。模擬結(jié)果符合研究目標要求,同時對本文設計的傳感器的結(jié)構(gòu)尺寸、制作工藝、封裝結(jié)構(gòu)和測試數(shù)據(jù)進行了分析討論。
　　SOI壓力傳感器采用硅壓阻效應工作原理,SOI壓力芯片是采用硅微壓阻式原理所研制的,基片選擇采用由

2、SIMOX工藝制成的SOI結(jié)構(gòu)。利用半導體微機械加工制成硅應變電阻構(gòu)成惠斯通電橋的力敏元件;在結(jié)構(gòu)設計中,采用芯片背面感壓形式,芯片正面與玻璃基座靜電封接,并在玻璃基座上利用微加工的方法制作外引線封裝孔和參考壓力腔結(jié)構(gòu),實現(xiàn)無引線封裝,增強壓力傳感器的耐高溫性能。通過溫度補償及電路調(diào)節(jié),傳感器輸出標準電壓信號。產(chǎn)品性能檢測及環(huán)境測試結(jié)果表明,該傳感器性能穩(wěn)定,耐外界惡劣環(huán)境的能力強、可靠性高。
　　實際產(chǎn)品測試結(jié)果表明,SOI高溫