ZnO納米棒及化學(xué)修飾電極的制備與表征.pdf

1、納米陣列電極在提高監(jiān)測(cè)靈敏度、改善選擇性、縮短響應(yīng)時(shí)間方面有很大的優(yōu)勢(shì)，在解決環(huán)境監(jiān)測(cè)、生命科學(xué)、能源等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。一維ZnO納米陣列因ZnO寬帶隙(室溫3.37eV)、優(yōu)越的化學(xué)和熱穩(wěn)定性、透明度、生物適應(yīng)性等特性使其在太陽(yáng)能電池、電子器件、傳感等領(lǐng)域廣受關(guān)注。普魯士藍(lán)及其類似物對(duì)一些環(huán)境有機(jī)污染物、生物代謝物的電催化活性，使其成為一種重要的電極修飾材料。對(duì)以氧化鋁納孔陣列為模板制備具有ZnO納米棒陣列和普魯士藍(lán)類似物納米陣

2、列表面的納米結(jié)構(gòu)電極的基本過程進(jìn)行研究，具有具有重要的科學(xué)意義。
　　 (1)采用低溫水熱合成法，以醋酸鋅和六次甲基四胺為合成前體，制備了ZnO納米棒，用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡對(duì)其形貌進(jìn)行了觀察；探討了ZnO納米棒的形成機(jī)制；結(jié)果表明，ZnO納米棒為大小均一、晶型完美的六方柱狀晶體。前驅(qū)體的濃度、生長(zhǎng)溫度和時(shí)間及ZnO晶體極性面和非極性面不同的生長(zhǎng)速率等因素決定了ZnO納米棒的形狀和大小。
　　 (2)探索了室溫下10V直流電壓

3、下，在0.3mol·L-1的草酸溶液中二步陽(yáng)極氧化法在硅(100)覆鋁膜(Si/Al)上形成硅基氧化鋁膜模板的方法，探討了陽(yáng)極氧化鋁模板的形成過程及其機(jī)理。低電壓下的陽(yáng)極氧化可提高這類薄層鋁膜陽(yáng)極氧化的可控性?？梢宰鳛橄乱徊街谱鱖nO納米陣列和普魯斯藍(lán)及其類似物陣列的掩模。
　　 (3)分別用干法固定法、化學(xué)沉積法和電化學(xué)法制備了普魯士藍(lán)類似物鐵氰化銅(CuHCF)修飾的Au、Pt和Si/Al電極并用循環(huán)伏安法對(duì)修飾電極進(jìn)行了電